kõrgematel teperatuuridel. Gaasides, kus moolide paigutus ja CuSO 4 lahuses. Nende vahel on poome vahesein, mis grammis lahustis 5) normaalsus - lahustunud aine ekvivalentide arv võimaldab ioonide liikumist,-kuid takistab lahuste segunemist. liikumine on entroopia kõrgem. Entropiia kasvab aine ühes liitris lahuses 6) (moolimurd % )/100- lahustunud aine moolide molaarmassi kasvuga ja koosneb kuuluvate aatomite arvu Zn kui aktiivsem metall, saadab lahusesse rohkem ioone kui arvu suhe üld moolide arvusse
Kolloidlahus on heterog süst, süsteemi korrapäratust ja entroopia on suurem kõrgematel kus kolloidosakesed ja keskkond on eral.tud faasidevahelise pinnaga. 0,00 teperatuuridel. Gaasides, kus moolide paigutus ja liikumine on Kolloidlahuseid valm.kse: 1) dispersiooni meetodil - dispergeerides K Ba Ca Na Al Zn Cr Fe Cd Co Ni Sn Pb H 2 ,(Pt) Cu entroopia kõrgem. Entropiia kasvab aine molaarmassi kasvuga ja suuremaid osakesi kolloiddispersiooni astmeni ja lisad-s stabilis-rit. 0,80 1,50 koosneb kuuluvate aatomite arvu suurenemisega. gaasid omavad 2) Kondentsatsiooni meetodil - luues ting-sed ioonide või moolide ühin-ks Hg Ag Au kõrget entroopiat kuna seal on molekulid pidevas liikumises ja ogrigaatideks. Selleks kasut kolloidveskeid, ultraheli, elektrikaarti. 7
annaabi.ee 
