Naaberaatomite välised elektronkatted mõjutavad üksteist. Selle tulemuseks on, et aatomite väliskihi elektronide ehk valentselektronide energiatasemed muunduvad mitme elektronvoldi laiusteks energiatsoonideks Tahkistes tekivad ühistatud elektronid, mis kuuluvad kogu kristallile. Ka tsoonid on ühised kogu kristallile. Energiatsoonis on alatasemete energiate vahe suurusjärgus st üliväike ning elektronide siirdumine ühelt alatasemelt teisele on lihtne kogu energiatsooni ulatuses. Eristatakse lubatud energiatsoone ja keelutsoone. Lubatud tsoonis saavad elektronid olla, aga keelutsoonis mitte. Lubatud tsoonid on lahutatud omavahel keelutsoonidega. Probleem on selles, kas elektronil on piisavalt energiat, et keelutsoonist üle hüpata ühest lubatud tsoonist teise. Selle põhjal eristataksegi metalle, pooljuhte ja dielektrikuid. · Metallid Metallides on valentselektronide energiatsoon vaid osaliselt elektronide poolt hõivatud. Vabade
mõjutavad üksteist. Selle tulemuseks tahkistes on, et aatomite väliskihi elektronide ehk valentselektronide energiatasemed muunduvad mitme elektronvoldi laiusteks energiatsoonideks (1eV = 1,6·10-19J). Tahkistes tekivad ühistatud elektronid, mis kuuluvad kogu kristallile. Ka tsoonid on ühised kogu kristallile. Energiatsoonis on alatasemete energiate vahe suurusjärgus 10 -22eV, st üliväike ning elektronide siirdumine ühelt alatasemelt teisele on lihtne kogu energiatsooni ulatuses. Energiatasemed tahkises Metall tahkis, milles viimane hõivatud energiatsoon on vaid pooleldi täidetud elektronidega (juhtivustsoon) või on moodustunud hübriidtsoon, st valents- ja juhtivustsoon osaliselt kattuvad, keelutsoon puudub. (E=0) Energiatasemed tahkises Pooljuht tahkis, mille valentstsoon on täielikult täidetud, kuid keelutsoon on kitsas (E=13eV). Valguse või soojuse mõjul saavad elektronid siirduda valentstsoonist juhtivustsooni.
3. Kristallides on aatomid või ioonid paigutunud korrapärase ruumvõrena. Naaberaatomite välised elektronkatted mõjutavad üksteist. Selle tulemuseks on, et aatomite väliskihi elektronide ehk valentselektronide energiatasemed muunduvad mitme elektronvoldi laiusteks energiatsoonideks. Tsoonid on ühised kogu kristallile. Energiatsoonis on alatasemete energiate vahe suurusjärgus 10 -22 eV, st üliväike ning elektronide siirdumine ühelt alatasemelt teisele on lihtne kogu energiatsooni ulatuses. 4. Eristatakse lubatud energiatsoone ja keelutsoone. Lubatud tsoonis saavad elektronid olla, aga keelutsoonis mitte. Lubatud tsoonid on lahutatud omavahel keelutsoonidega. Probleem on selles, kas elektronil on piisavalt energiat, et keelutsoonist üle hüpata ühest lubatud tsoonist teise. 5. Metalli pooltäidetud tsoonis on külluses nii elektrone kui ka vabu alatasemeid energia kasvuruumi. Seepärast nad ongi suurepärased elektrijuhid.
mitmesuguseid sisestumistüüpi tahkeid lahuseid. Nii lahustub tavalistes tingimustes ühes mahuosas pallaadiumis kuni 700 mahuosa vesinikku. Neeldumisega kaasneb pallaadiumi kristallivõre ruumala kasv 3,5% võrra, mille tagajärjel siserõhk kristallis kasvab 275 000 at-ni. Arvutused näitavad, et nii kõrgetel rõhkudel peab vesinik olema metallilises olekus, s.t. loovutama oma elektroni metallivõrega kristalli energiatsooni moodustamiseks. Elemendi ja ühendite kasutamine · Vesiniku põlemisel tekkivat kõrge temperatuuriga leeki kasutatakse metallide lõikamisel, keevitamisel, sulatamisel. · Vesinikuga redutseeritakse metallimaaki, saamaks metalle. · Vesiniku kui kõige kergema gaasiga täidetakse õhupalle. · Samuti täidetakse vesinikuga stratostaate, millega uuritakse atmosfääri. · Vesinikuga muudetakse vedelad rasvad ja taimeõlid tahketeks. Sel põhimõttel
elektronkatted mõjutavad üksteist. Selle tulemuseks on, et aatomite väliskihi elektronide ehk valentselektronide energiatasemed muunduvad mitme elektronvoldi laiusteks energiatsoonideks (1eV = 16×10-19 J). Tahkistes tekivad ühistatud elektronid, mis kuuluvad kogu kristallile. Ka tsoonid on ühised kogu kristallile. Energiatsoonis on alatasemete energiate vahe suurusjärgus 10-22 eV , st üliväike ning elektronide siirdumine ühelt alatasemelt teisele on lihtne kogu energiatsooni ulatuses. Eristatakse lubatud energiatsoone ja keelutsoone. Lubatud tsoonis saavad elektronid olla, aga keelutsoonis mitte. Lubatud tsoonid on lahutatud omavahel keelutsoonidega. Probleem on selles, kas elektronil on piisavalt energiat, et keelutsoonist üle hüpata ühest lubatud tsoonist teise. Selle põhjal eristataksegi metalle, pooljuhte ja dielektrikuid. · Metallid Metallides on valentselektronide energiatsoon vaid osaliselt elektronide poolt hõivatud. Vabade
elektronid 5. Millised on laengukandjad ioonilises materjalides? Laetud ioonid 6. Miks tekivad tahke aine moodustumisel energiatsoonid? viies aatomid üksteise lähedusse, nii et toimub korrastatud kristallstruktuuri teke siis aatomite elektronide ja tuumade vahel algab koosmõju. Koosmõju tulemusena N aatomi elektronnivood jagunevad N üksteise ligidal paiknevaks elektronnivooks, mis moodustavad kogumiku (energiatsooni) 7. Materjalide neli võimalikku tsoonistruktuuri? 8. Millised on metallide tsoonistruktuurid? 1) täis valentstsoon ja normaalolekus tühi juhtivustsoon osaliselt kattuvad, 2) valentstsoon vaid osaliselt täidetud elektronidega 9. Milline tsoonistruktuur vastab pooljuhtidele ja isolaatoritele? olekud valentstsoonis on täidetud ja puudub kattumine valents- ja juhtivustsooni vahel. Valents ja juhtivustsoon on eraldatud teineteisest nn
ehk valentselektronide energiatasemed muunduvad mitme elektronvoldi laiusteks -19 energiatsoonideks ( 1eV =1,6 10 J ). Tahkistes tekivad ühistatud elektronid, mis kuuluvad kogu kristallile. Ka tsoonid on ühised kogu kristallile. Energiatsoonis on alatasemete energiate vahe suurusjärgus 10 -22 eV , st üliväike ning elektronide siirdumine ühelt alatasemelt teisele on lihtne kogu energiatsooni ulatuses. Eristatakse lubatud energiatsoone ja keelutsoone. Lubatud tsoonis saavad elektronid olla, aga keelutsoonis mitte. Lubatud tsoonid on lahutatud omavahel keelutsoonidega. Probleem on selles, kas elektronil on piisavalt energiat, et keelutsoonist üle hüpata ühest lubatud tsoonist teise. Selle põhjal eristataksegi metalle, pooljuhte ja dielektrikuid. Metall tahkis, milles viimane hõivatud energiatsoon on vaid pooleldi täidetud elektronidega
ehk valentselektronide energiatasemed muunduvad mitme elektronvoldi laiusteks -19 energiatsoonideks ( 1eV =1,6 10 J ). Tahkistes tekivad ühistatud elektronid, mis kuuluvad kogu kristallile. Ka tsoonid on ühised kogu kristallile. Energiatsoonis on alatasemete energiate vahe suurusjärgus 10 -22 eV , st üliväike ning elektronide siirdumine ühelt alatasemelt teisele on lihtne kogu energiatsooni ulatuses. Eristatakse lubatud energiatsoone ja keelutsoone. Lubatud tsoonis saavad elektronid olla, aga keelutsoonis mitte. Lubatud tsoonid on lahutatud omavahel keelutsoonidega. Probleem on selles, kas elektronil on piisavalt energiat, et keelutsoonist üle hüpata ühest lubatud tsoonist teise. Selle põhjal eristataksegi metalle, pooljuhte ja dielektrikuid. Metallides on valentselektronide energiatsoon vaid osaliselt elektronide poolt hõivatud. Vabade
ehk valentselektronide energiatasemed muunduvad mitme elektronvoldi laiusteks -19 energiatsoonideks ( 1eV =1,6 10 J ). Tahkistes tekivad ühistatud elektronid, mis kuuluvad kogu kristallile. Ka tsoonid on ühised kogu kristallile. Energiatsoonis on alatasemete energiate vahe suurusjärgus 10 -22 eV , st üliväike ning elektronide siirdumine ühelt alatasemelt teisele on lihtne kogu energiatsooni ulatuses. Eristatakse lubatud energiatsoone ja keelutsoone. Lubatud tsoonis saavad elektronid olla, aga keelutsoonis mitte. Lubatud tsoonid on lahutatud omavahel keelutsoonidega. Probleem on selles, kas elektronil on piisavalt energiat, et keelutsoonist üle hüpata ühest lubatud tsoonist teise. Selle põhjal eristataksegi metalle, pooljuhte ja dielektrikuid. Metallides on valentselektronide energiatsoon vaid osaliselt elektronide poolt hõivatud. Vabade
Metallide suhteliselt kõrge defermatsioonivõime on samuti seletatav metalli aatomite võimega liikuda võres üksteise suhtes ilma, et katkeks metalliline side. Kui metalli aatomid moodustavad omavahel metallilise sideme siis süsteemi energia väheneb (joonis 2.42). Suurus E o - E min annab selle energiavõidu suuruse. Energianivood multiaatomilise metalli kristallis on erinevad energianivoodest üksikus aatomis. Valentsaatomid moodustavad nn. energiatsooni, kus paiknevad üksikute aatomite pisut üksteisest erinevad energianivood. Seda niinimetatud energiatsoonide teooriat tahkes kehas vaatleme lähemalt pooljuhtmaterjalide käsitlusel. Sideme energiad ja sulamistäpid on erinevatel metallidel väga erinevad. Üldiselt, mida vähem valentselektrone aatomi kohta võtab osa metallilise sideme moodustamiseks, seda metallilisem on side. Teisiti öelduna see tähendab, et seda vabamad on valentselektronid metallis