korral on sisendvool ja väljundvool peaaegu samad, kuid ÜE-ühenduse korral on sisend- ja väljundvoolude vahe oluliselt suurem. Tundmatutel mõjudel ei olnud võimalik rohkem mõõtmisi teha ning saime ÜB-ühenduse korral mõõta väljundvoolu ainult väljundpinge väärtuse 1V juures. Emitter on transistori üks välimistest kihtidest ning see toimib voolu tekitajana transistoris. See on osa, milles tekitatakse ja vastavalt ka emiteeritakse enamuslaengukandjaid. Transistorit läbiva voolu tugevust aga tüürib keskmine kiht transistoris, mida nimetatakse baasiks. Voolu baasiahelas moodustavad põhiliselt transistori emitterist tulnud augud (n-p- n transistori puhul aga emitterist tulnud elektronid) – see tähendab, et ühendusviis omab väga palju tähtsust. Leidsime ka transistori tunnusjoonte parameetrid ning saadud tulemused ühtisid passiandmetega. Tabel 7.1 Transistori ÜB-ühendus
Laengukandjate poolest vaest tõkkekihti, mis moodustub vastasmärgilistest lisandioonidest eri juhtivusega pooljuhtosade eralduspinna juures nimetatakse pn-siirdeks (ingl. k. p-n junction). Vähemuslaengukandjaile mõjub elektriväli kiirendavalt ning nad läbivad siirde takistamatult. Nende laengute liikumine moodustab triivvoolu. Ka väike osa Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised 5 enamuslaengukandjaid läbib soojusliku liikumisenergia tõttu siirde, tekitades difusioonvoolu. Välise energia (pinge, kiirguse jne) puudumisel on triivvool ja difusioonvool võrdsed ja vastassuunalised ning nende summa on null. Enamasti valmistatakse pn-siirded ebasümmeetrilistena s.t. enamuslaengukandjate kontsentratsioon ühes pooljuhtkihis on teise omast 100...1000 korda suurem [2]. Kasutamist leiab ka taoline pn-siire, mis kujuneb mitte kahe erineva juhtivustüübiga
põhiülesanne on tagada mähiste vahel hea induktiivne sidestus. Mähis on traadikeerdude kogum, mis moodustab elektriahela. Selles ahelas msummeeritakse iga keeru elektrimotoorjõudu. 2. MOP-transistor indutseerkanaliga Indutseeritud kanaliga MOP transistori korral on kanal formeerimata ehk paisupinge puudumisel puudub. Seetõttu on läte ja neel üksteisest isoleeritud. Paisupinge rakendatakse antud juhul nii, et pinge mõjul tõmmataks alusmaterjali vähemuslaengukandjaid paisu suunas ja enamuslaengukandjaid paisust eemale. Seega n tüüpi MOP transistoris rakendatakse paisu ja lätte vahele positiivne pinge, mis tõmbab elektrone paisu poole. Teatud pingest U T alates muutub elektronide kogus paisu lähedal nii suureks, et ületab aukude kontsentratsiooni. Sellest pingest alates muutub kanal juhtivaks. Pinge edasise suurendamise järel laengukandjate arv kasvab ja kanal laieneb, mistõttu kanali juhtivus muutub veel suuremaks. 3. Inverteeriv summaator 4. ESL-emittersidestuses loogika
annaabi.ee 
