Pikkov lk 72 (järg) Ülemisel skeemil (Pikkov lk 72 all) on näidatud alalisvoolutagasisidega tööpunkti stabiliseerimise lülitus. See on hea stabiliseerimisvõimega ja seetõttu levinuim. Alalisvoolu-jadavastuside loomiseks on emitteriahelas takisti RE, millel emitterivool tekitab pingelangu UE. Kui kollektorivool temperatuuri toimel kasvab, siis ka emitterivool kasvab. See suurendab pingelangu emittertakistil, mis vähendab päripinget emittersiirdel (sest pingejaguri R1-R2 poolt baasile antav eelpinge ei muutu), mis vähendab baasivoolu, mis avaldab vastumõju kollektorivoolu suurenemisele. Peale vaadeldud tööpunkti stabiliseerimislülituse (vt ka joon. 6.4 c) on kasutusel veel alalispingevastusidega lülitus (joon. 6.4 a ja b) ning kombineeritud vastusidega (alalisvoolu- ja alalispingevastusidega) lülitus (joon. 6.4 d). Joonis 6.4. ÜE-lülituses transistoride tööpunkti stabiliseerimise skeemid: (a) ja (b)
3.5 Väljatransistorid e. unipolaartransistorid Väljatransistorides tüüritakse ühenimeliste laengukandjate elektronide või aukude hulka juhtivas kanalis elektrivälja abil. Elektriväli tekitatakse juhtelektroodi ehk paisu (ingl. k. gate) pingestamisega lätte e. allika (source) suhtes. Väljatransistori pais sarnaneb oma funktsiooni poolest bipolaartransistoril baasile. Vahe seisneb selles, et baasi tüüritakse vooluga (pinge bipolaartransistori avatud emittersiirdel muutub sealjuures vahemikus u. 0,6...0,9 V), kuid väljatransistori paisu tüüritakse pingega (vool on väga väike ja praktiliselt võib seda lugeda nulliks). Selle omaduse poolest sarnanevad väljatransistorid elektronlampidele. Väljatransistori voolukanali otsmisi kontakte nimetatakse lätteks (ingl. k. source) ja neeluks (ingl. k. drain). Kui võrrelda bipolaartransistoriga, siis on lätte vaste emitter ja neelu vaste kollektor. Väljatransistorid jagunevad oma struktuurilt
Mida madalam sagedus, seda väiksem hüvetegur. Ülemisest klemmist inv OV valj, alumisest OV +. Vaja Ku 3->Rts/Ro2. 4. TTL-Schottky loogika elemendid TTL – nii lülituse sisendis kui väljundis on transistorid. TTL-Schottky barjääriga transistorides on baasi ja kollektori vahel Schottky barjäär, mis vähendab siirde avamise lävipinget (0,7 voldilt 0,2...0,3 voldini) hoider ära transistori küllastumise. Seetõttu tõuseb loogikaelemendi töösagedus ja suureneb pingelang emittersiirdel, mille tõttu väheneb kollektorivool püsitalitluses. 5. RS-triger Igal trigeril on 2 olekut. Triger on primitiivsem jadaloogika lülitus. Ehituse aluseks on 2 eitusega (Ning/Või) elementi. RS-trigeril on seadesisendid S (set) ja R (reset). 1)Asünkroonne RS-triger: trigeri seadmiseks olekusse „1“ on vaja anda tema „S“ (Set) sisendile loogiline „1“. Trigeri seadmiseks olekusse „0“ antakse sisendisse „R“ loogiline „1“
pinge küllastusreziimis (etteantud baasi- ja kollektorivoolul). Kollektori ja emitteri vaheline küllastuspinge UCEsat on nende elektroodide vaheline pinge küllastusreziimis. 6.5.6. Siirete mahtuvused. Kollektorsiirde mahtuvus Cc on baasi ja kollektori vaheline mahtuvus, kui emitterahel on katkestatud ja kollektorsiirdel on vastupinge. Emittersiirde mahtuvus C E on emitteri ja baasi vaheline mahtuvus, kui kollektorahel on katkestatud ja emittersiirdel on väike vastupinge. 6.5.7. Mürategur. Mürategur F on transistori väljundahelas ilmneva müra koguvõimsuse suhe (dB) nimetatud võimsuse sellesse ossa, mida põhjustab signaaliallika soojusmüra. 6.6. Transistoride parameetrite määramine Vajadus konkreetseks parameetrite määramiseks võib praktikas tekkida kahel juhul - 1) kui ei õnnestu käsiraamatutest leida arvutusteks vajalikke parameetreid või 2)
annaabi.ee 
