E = I0R0 + U0, kus E ja R on const b ja a ja I on muutuja y ja U on muutuja x. Siit saame y = ax + b. siit same, et E = iR + u ongi koormussirge võrrand. Transistoriga ahel 10 I0, U0 rahuolukorras (s.o. basil pole vahelduvsignaali) ik transistori kollektori vool Ube Ube on transistori koll ja emitterivaheline pinge. Kui Ibe = 0, siis reziim A1 Kui Ibe = 200mA, siis reziim A2 Kui Ibe = 100mA, siis reziim A3 Kui Ibe = 300mA, siis reziim A4 Analoogelektroonikas sobib reziim A3. Digielektroonikas on süsteem 0 ja 1 ehk siis juhib(A4, kuid see on küllastus) ja ei juhi(A1). Küllastuse puhul transistori välja lülimine on aeglane. Kiiretes digilülitustes küllastus keelatud!!! Õige juhib reziim on kuskil A2 A4 vahel n. ö. küllastuse piiril. Küllastus on omane vaid bipolaartransistoridele! 1
Joon.1.17 Ipj (pingejaguri vool) Esimesel juhul tuleb valida sobiva väärtusega baasitakistus, milline arvutatakse eeldusel, et emittersiirde takistus on piisavalt väike ja sel juhul E RB = , I BA kus IBA baasivool valitud tööpunktis. Teisel juhul leitakse sisendtunnusjoontelt vajalik baasi ja emitterivaheline pinge, ning arvutatakse takistused R1 ja R2 sobiva suhtega, kusjuures Ipj>>IB. Viimane nõue tuleneb sellest, et kui need voolud on lähedased, siis hakkab baasipinge muutuma koos sisendvoolu muutustega. Väljatransistori korral tuleb tööpunkt fikseerida alalispinge andmisega paisule, sest väljatransistor on pingega tüüritava element. Seejuures sõltuvalt kasutatava transistori tüübist võib vajalik tööpunkti määrav paisu ja lättevaheline pinge olla kas negatiivne või positiivne
16. Tööpunkti võib fikseerida kahel viisil, kas andes transistori sisendisse sobiva väärtusega baasioolu või baasi ja emitteri vahele sobiva pinge(joon.4.16). Esimesel juhul tuleb valida sobiva väärtusega baasitakistus, milline arvutatakse eeldusel, et emittersiirde takistus on piisavalt väike ja sel juhul , kus I baasivool valitud tööpunktis. BA Teisel juhul leitakse sisendtunnusjoontelt vajalik baasi ja emitterivaheline pinge, ning arvutatakse takistused R ja R sobiva suhtega, kusjuures I >>I . Viimane nõue tuleneb 1 2 pj B sellest, et kui need voolud on lähedased, siis hakkab baasipinge muutuma koos sisendvoolu muutustega. ÜB lülituse korral tuleb tagada, et emittersiire oleks pingestatud sobival määral pärisuunas ja kollektorsiire vastusuunas. N-P-N transistori korral peab seega emitter
või baasi ja emitteri vahele sobiva pinge(joon.4.16). Esimesel juhul tuleb valida sobiva väärtusega baasitakistus, milline arvutatakse eeldusel, et emittersiirde takistus on piisavalt väike ja sel juhul E RB = , I BA kus IBA baasivool valitud tööpunktis. Teisel juhul leitakse sisendtunnusjoontelt vajalik baasi ja emitterivaheline pinge, ning arvutatakse takistused R1 ja R2 sobiva suhtega, kusjuures Ipj>>IB. Viimane nõue tuleneb sellest, et kui need voolud on lähedased, siis hakkab baasipinge muutuma koos sisendvoolu muutustega. ÜB lülituse korral tuleb tagada, et emittersiire oleks pingestatud sobival määral pärisuunas ja kollektorsiire vastusuunas. N-P-N transistori korral peab seega emitter olema baasi suhtes pingestatud negatiivselt ja kollektor positiivselt.
annaabi.ee 
