Seda nim. võimendamiseks. Parempoolne patarei tekitab + pärisvooluks. Kui aga muuta vooluallikate poolt, siis pinge kollektori ja emitteri vahel. Vasakpoolne laengukandjad tõmbuvad üksteisest eemale ja voolu patarei tekitab baasil emitteri suhtes + pinge, kuid praktiliselt ei teki. Seda nim. vastuvooluks. P-n siirde kollektori suhtes jääb baas - . Seega tekib baasist põhiomadus on, et tal on ühesuunaline vool, mis emitterisse pärivool, st. elektronid liiguvad töötab nagu ventiil. vastupidiselt emitterist baasi. Kuna baasi kiht on väga õhuke, sest kollektori pinge on baasi suhtes positiivne. Tekib vool- läbi kollektori. Tekkiv vool on palju suurem kui läbi baasi. Kui baasi pinge panna
laiali liikuma. Vastupingestatud kollektorsiire aga on laienenud baasi ning selle elektrivälja sattunud augud (teatavasti läbivad vähemuslaengukandjad siirde elektrivälja takistamatult) liiguvad edasi kollektorisse. Seetõttu on endiselt kollektorsiirde läheduses auke vähem, kui emittersiirde läheduses ning difusioon jätkub. Enamik auke liigub edasi kollektorisse ning ainult vähesed rekombineeruvad baasi elektronidega. Rekombineerunud elektronide ja nende, mis liikusid baasist emitterisse, asemele tuleb aga välisahelast juurde uusi elektrone. Nende elektronide liikumine välisahelast baasi moodustabki baasivoolu. Aukude vool baasist kollektorisse moodustab kollektrori voolu. Aukude vool emitterist baasi ja elektronide vool baasist emitterisse moodustab emittervoolu. Lisa: Skeemidesse ühendatakse npn-transistor enamasti nii, et emitter on negatiivne ja kollektor positiivne baasi suhtes.
Esimest nimetatakse emittersiirdeks, teist aga kollektorsiirdeks. Keskmist pooljuhtkihti nimetatakse baasiks. Emitterväljastusega ühendatakse toiteallikas UE (pingega ca. 1 V) ja sisendsignaaliallikas Usis. Kollektorväljastusega ühendatakse toiteallikas UK (pingega mõnikümmend volti) ja koormustakisti Rk. Siirde päripingestamisel potentsiaalibarjäär väheneb ja elektronid injekteeruvad baasi. Samaaegselt liiguvad baasipiirkonnast sealsed enamuslaengukandjad (augud) läbi siirde emitterisse. Need mõlemad komponendid moodustavad emitterivoolu IE (aukude osa voolu moodustumises on suhteliselt väike). Kokkuleppeline emitterivoolu suund on vastupidine elektronide liikumise suunale. Baasis muutuvad elektronid vähemuslaengukandjateks liikudes edasi põhiliselt difusiooni teel vasaku siirde poole. Baasi elektriväli praktiliselt elektronide liikumist ei mõjuta, sest nende laengud kompenseeritakse aukude poolt. Difusiooni käigus osa elektrone rekombineerub
) 6. 15 V Zener dioodi maksimaalne lubatud võimsus on 100 mW. Milline on sobiv jadamisi ühendatava takisti väärtus, kui toitepinge on 24 V? Milline vool läbib Zener dioodi, kui koormustakisti väärtus on 5 k? (IZmax =6,67 mA; R = 1,35 kR mA; IZ = 3,67 mA Transistorid 7. Bipolaarse npn või pnp transistori ehitus ja tööpõhimõte (s.t. joonistage emitter, baas ja kollektor, siirded nende vahel, voolud emitterisse, baasi ja kollektorisse). Pingestamine ja voolud ühise emitteriga lülituse korral koos sisend, ülekande ja väljundkarakteristikutega (piisab kõige lihtsamast kollektortakistiga ja baasitakistiga lülitusest). 8. Formeeritud kanaliga n-tüüpi MOSFET transistori ehitus ja tööpõhimõte (s.t. joonistage läte, neel, kanal, paisuoksiid ja pais, siirded nende vahel lätte ja neelu vool ning pinged lätte ja neelu vahel ning paisule rakendatud pinge)
baasi laiali liikuma. Vastupingestatud kollektorsiire aga on laienenud baasi ning selle elektrivälja sattunud augud (teatavasti läbivad vähemuslaengukandjad siirde elektrivälja takistamatult) liiguvad edasi kollektorisse. Seetõttu on endiselt kollektorsiirde läheduses auke vähem, kui emittersiirde läheduses ning difusioon jätkub. Enamik auke liigub edasi kollektorisse ning ainult vähesed rekombineeruvad baasi elektronidega. Rekombineerunud elektronide ja nende, mis liikusid baasist emitterisse, asemele tuleb aga välisahelast juurde uusi elektrone. Nende elektronide liikumine välisahelast baasi moodustabki baasivoolu. Aukude vool baasist kollektorisse moodustab kollektrori voolu. Aukude vool emitterist baasi ja elektronide vool baasist emitterisse moodustab emittervoolu. Lisa: Skeemidesse ühendatakse npn-transistor enamasti nii, et emitter on negatiivne ja kollektor positiivne baasi suhtes. Vastavalt pnp ühendatakse enamasti nii, et emitter on positiivse ja kollektor
Kuna baas on väga õhuke (paksus < 1 mm), siis valdav enamik (>95%) päripingestatud emittersiirde kaudu sinna jõudnud elektrone (enamuslaengukandjaid) satuvab vastupingestatud kollektorsiirde elektrivälja mõjualasse, mis suunab elektronid kollektorisse, tekitades kollektorivoolu. Ainult väike osa elektrone rekombineerub baasis aukudega (vähemuslaengukandjatega), mis moodustavad osa baasivoolust (teise osa baasivoolust moodustavad emittersiirde kaudu emitterisse kulgevad augud). Emitterivool kui tervik jaguneb seega baasivooluks ja kollektorivooluks. Baasivool on kollektorivoolust tunduvalt väiksem (suurusjärgus 1...5%). IE = IK + IB ; IB « I K ; IE IK IK = A · IE Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised 14
46 Fototransistor (fototriood) (FT) kahe pn-siirdega pooljuhtseadis, milles toimub laengukandjate suunatud liikumine ja mille omaduseks on üheaegne valgusenergia muundamine ning fotovoolu võimendamine. Kui FT baasiahel on lahti, ja FT ei valgustata, siis läbib vooluahe- lat pimevool Ip = IKB0/(1 ). Valguse mõjul tekivad baasis vabad laengukandjad. Vähemuslaengukandjad (antud juhul elektronid) tõmbuvad pn-siirete elektriväljade mõjul FT emitterisse ja kollektorisse. Baasi jäänud enamuslaengukandjad augud tekitavad positiivse ruumlaengu, mis vähendab emittersiirde po- tentsiaaltõkke kõrgust ja seega muudab baasi potentsiaali emitteri suhtes. Selle tagajärjel suureneb emitterist baasi injitseeruvate vä- hemuslaengukandjate elektronide hulk. Osa neist rekombinee- rib baasis aukudega, suurim osa aga läbib kollektorsiirde, suurendades kollektorvoolu. Et FT on ÜE-lülituses, saab kollek- torivool lisajuurdekasvu IB.
annaabi.ee 
