R4 (väike). Ümberlülitamisel LL-le on R4 asemel resonantsvõnkering ja sisendis üksikvõnkering. Kollektorkoormusega on rööbiti ühendatud jadavõnkering L6-C9. Lülituse emittervooluringi on rakendatud AVR-i pinge, mis muudab dioodi VD1 juhtivuse abil VT emittertakistust nii, et tugeva signaali puhul astme võimendus väheneb, sest emitterahela takistust suurendatakse, mistõttu vooluvastuside suureneb ja astme võimendus väheneb. Sagedusmuundi iB fV S fS = fOSC - fS fS = fS - fOSC
juhtivused vastupidised, siis on toitepingete polaarsuses erinevus, sõltuvalt sellest, kas kasutame N-P-N või P-N-P transistore. JOONIS 4.3. Vaatleme enamlevinud N-P-N transistori tööd. Kuna emittersiire on pingestatud avasuunas, siis läbib teda tugev pärivool, mida. kõige väiksemgi pinge muutus mõjutab tugevalt, kuna siirde päritakistus on väike. Nagu juba mainitud, töötab kollektorsiire 41 vastupingereziimis, mistõttu avatud emitterahela korral läbib kollektorsiiret väga väike vastuvool. I = I +I; I « I; I I E C B B C E C Täpsemalt, I = A · I , kus A on vooluülekandetegur ehk staatiline voolu-võimendustegur, C E A väärtus on vahemikus 0,92 ... 0,99. Kui rakendada emitteri ja baasi vahele lisaks alalispingele ka vahelduv-sisendpinge, siis
sõltuvalt sellest, kas kasutame N-P-N või P-N-P transistore. JOONIS 4.3. Vaatleme enamlevinud N-P-N transistori tööd. Kuna emittersiire on pingestatud avasuunas, siis läbib teda tugev pärivool, mida. kõige väiksemgi pinge muutus mõjutab tugevalt, kuna siirde päritakistus on väike. Nagu juba mainitud, töötab kollektorsiire vastupingereziimis, mistõttu avatud emitterahela korral läbib kollektorsiiret väga väike vastuvool. I E = IC + IB; IB « IC; IE IC Täpsemalt, IC = A · IE, kus A on vooluülekandetegur ehk staatiline voolu-võimendustegur, A väärtus on vahemikus 0,92 ... 0,99. Kui rakendada emitteri ja baasi vahele lisaks alalispingele ka vahelduv-sisendpinge, siis tekitavad väikesed sisendpinge muutused küllalt suuri emittervoolu muutusi (avasuunareziim). Peaaegu
CISS Sisendmahtuvus 2,8 nF COSS Väljundmahtuvus UCE = 25 V, UGE = 0 V, f =1 MHz 0,3 nF CRSS Mahtuvus vastupingel 0,2 nF UGE = 15 V, j = 25 °C 25 m RCE Kollektor-emitterahela takistus UGE = 15 V, j = 125 °C 33 m Kollektor-emitteri vaheline IC = 50 A, UGE = 15 V, j = 25°C 2,1 V UCE(sat) küllastuspinge IC = 50 A, UGE = 15 V, j = 125 °C 2,4 V QGG Paisu laeng UGE = 0...+15 V 120 nC
annaabi.ee 
