Nagu juba transistoride parameetrite juures nimetatud, hakkavad transistori võimendusomadused sageduse suurenedes halvenema, mis avaldub voolu-võimendusteguri vähenemises. Selle nähtuse põhjusi on kaks. Esimeseks põhjuseks on kollektorsiirde mahtuvus, mille mahtuvustakistus hakkab sildama kollektorsiiret ja see kaotab oma omadused. Mahtuvuse toime on seda tugevam, mida suurem on see mahtuvus ja mida kõrgem on sagedus. Teiseks põhjuseks on laengukandjate difusioonne liikumine baasis. Elektronide liikumiskiirused on üldiselt küllalt suured, kuid tingituna elektrivälja puudumisest baasis liiguvad nad seal difusioonselt (korrapäratult) ja eri laengukandjate teed baasi läbimisel on erineva pikkusega. Tulemus on see, et sisendsignaali toimel üheaegselt emitterist baasi läinud laengukandjad jõuavad kollektorisse erinevatel ajahetketel. Nii venivad impuss-signaalide korral välja impulsi küljed. Siinussignaalide korral aga vähenevad
Nagu juba transistoride parameetrite juures nimetatud, hakkavad transistori võimendusomadused sageduse suurenedes halvenema, mis avaldub voolu- võimendusteguri vähenemises. Selle nähtuse põhjusi on kaks. Esimeseks põhjuseks on kollektorsiirde mahtuvus, mille mahtuvustakistus hakkab sildama kollektorsiiret ja see kaotab oma omadused. Mahtuvuse toime on seda tugevam, mida suurem on see mahtuvus ja mida kõrgem on sagedus. Teiseks põhjuseks on laengukandjate difusioonne liikumine baasis. Elektronide liikumiskiirused on üldiselt küllalt suured, kuid tingituna elektrivälja puudumisest baasis liiguvad nad seal difusioonselt (korrapäratult) ja eri laengukandjate teed baasi läbimisel on erineva pikkusega. Tulemus on see, et sisendsignaali toimel üheaegselt emitterist baasi läinud laengukandjad jõuavad kollektorisse erinevatel ajahetkedel. Nii venivad impulss-signaalide korral välja impulsi küljed. Siinussignaalide
Nagu juba transistoride parameetrite juures nimetatud, hakkavad transistori võimendusomadused sageduse suurenedes halvenema, mis avaldub voolu-võimendusteguri vähenemises. Selle nähtuse põhjusi on kaks. Esimeseks põhjuseks on kollektorsiirde mahtuvus, mille mahtuvustakistus hakkab sildama kollektorsiiret ja see kaotab oma omadused. Mahtuvuse toime on seda tugevam, mida suurem on see mahtuvus ja mida kõrgem on sagedus. Teiseks põhjuseks on laengukandjate difusioonne liikumine baasis. Elektronide liikumiskiirused on üldiselt küllalt suured, kuid tingituna elektrivälja puudumisest baasis liiguvad nad seal difusioonselt (korrapäratult) ja eri laengukandjate teed baasi läbimisel on erineva pikkusega. Tulemus on see, et sisendsignaali toimel üheaegselt emitterist baasi läinud laengukandjad jõuavad kollektorisse erinevatel ajahetkedel. Nii venivad impulss-signaalide korral välja impulsi küljed. Siinussignaalide korral aga vähenevad väljundvoolu
annaabi.ee 
