kollektorist välja IB<0, baasist välja NPN korral vastupidi. IK=/(1-)IB+1/(1- )IKo=IB+(1+)IKo=>=IK/IB=/(1-). Karak: (telj:Ib-Ube) UKE pos korral hakkab kasv exp 0-st, UKE<=0 korral 1-st ning neg osa peal on konst IKo. karak: (telj:Ik-(-UKE)) 0-st suure tõusnurgaga sirge, millest väljuvad ca horison jooned altpoolt IB=-IKo, IB=0… Param: h21EiK/iB-vooluvõimendustegur(50..250) h11E=UB/iB-trans sisendtak. 3pdf 3. . =inv ainult Rts>konde. Ic=IRi; -CdUvalj/dt=Usis/R; Uvalj=- 1/RCint(0..t)Usisdt. Tulemuseks konde peal tekkiv pinge. Sisend pos, hakkab laadima kondet neg 4. 2NAND, 2NOR-2x dioodi kokku läbi taki transsi, sama, mis NAND 12pdf 5. mäluelem mitmebitiste 2ndarvude ajutiseks hoidmiseks(pikk hoidmine=mälu), iga bit=trig (nd D). 4 tüüpi (1xtava, 3xnihke). PIPO(parall in parall out), SISO(ühine clk), PISO- prose>serial COM port, SIPO-COM sisse Pilet 14. 2. Latour`i skeem 3. U->I muundur 4. loendurid 5
IK=/(1-)IB+1/(1- )IKo=IB+(1+)IKo=>=IK/IB=/(1-). Karak: (telj:Ib-Ube) UKE pos korral hakkab kasv exp 0-st, UKE<=0 korral 1-st ning neg osa peal on konst I Ko. karak: (telj:Ik-(-UKE)) 0-st suure tõusnurgaga sirge, millest väljuvad ca horison jooned altpoolt IB=-IKo, IB=0... Param: h21EiK/iB- vooluvõimendustegur(50..250) h11E=UB/iB-trans sisendtak. 3. JOONIS12...=inv ainult Rts>konde. Ic=IRi; -CdUvalj/dt=Usis/R; Uvalj=- 1/RCint(0..t)Usisdt. Tulemuseks konde peal tekkiv pinge. Sisend pos, hakkab laadima kondet neg Vahetame takisti Rts baasskeemis (inverteeriv võimendi) kondensaatori C vastu. Arvestame, et IC = IR . 4. JOONIS3(paremal) Element 3NING-EI (3NAND, 3_-:;) Juhul, kui kas või üks sisenditest X1