Lihttüristor (üheoperatsiooniline türistor e. trioodtüristor) on kolme pn-siirdega neljakihiline pooljuhtseadis, mis anoodi A ja katoodi K vahelise päripinge olemasolul pärast tüürelektroodile (juhtelektroodile) G antud tüürvoolu impulssi juhib voolu anoodilt katoodile (joonised 3.28 ja 3.29). Trioodtüristori on võimalik esitada kahe komplementaarse struktuuriga bipolaar- transistori omavahelise ühendusena (joonis 3.28): Joonis 3.28. Türistori struktuuri jaotus kaheks bipolaartransistoriks [4]. Türistori aluseks on ränikristallist plaat või ketas, millel asetsevad vaheldumisi p- ja n- juhtivusega kihid. Anood- ja katoodväljastus on võetud välimistelt pooljuhikihidelt. Trioodtüristori struktuur ja tingmärk on toodud joonisel 3.29. Joonis 3.29. Türistori struktuur ja tingmärk [2]. Türistori tööpõhimõtet illustreerival skeemil joonis 3.29 on näidatud reguleeritava pingega anoodtoiteallikas UA, anoodvoolu piirav koormustakisti Rk ja reostaat RG.
seepärast kasutatakse tähistamist värvikoodiga. Dioodide värvikoodid võib leida käsiraamatust L1. Dioodidel kasutatakse standardiseeritud korpusi, nende tähised kujud ja mõõdud on toodud joonisel 5.6. ELEKTROONIKA KOMPONENDID lk. 33 6. TRANSISTORID Bipolar Junction Transistor(BJT) 6.1.Transistori ehitus. Transistoriks ehk täpsemalt bipolaartransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist, mida kasutatakse elektriliste pingete ja voolude võimendamiseks ja genereerimiseks ning ka kontaktivaba lülitina nii nõrk- kui tugevvooluahelates. See on praegu kõige enam kasutatavaks pooljuhtseadiseks. Transistor on pooljuhtseadis, millel on kaks p-n-siiret. Tal on kolm osa, millest kaks äärmist on ühesuguse juhtivusega, keskmine aga erineva juhtivusega. Vastavalt sellele, millist juhtivust omab keskmine osa. on
Taolise stabilisaatori väljundis peab aga olema silufilter, mis silub impulsspinget. Kuna 38 reguleerelemendi lülitumissagedus on suur (20kHz...100 kHz), siis ei ole sellise impulsspinge silumine tehniliselt raske. Impulss-stabilisaatorite väljundpinge pulsatsioon on siiski suurem kui analoogstabilisaatoritel. 39 4. TRANSISTORID Bipolar JunctioTransistor (BJT) 4.1.Transistori ehitus. Transistoriks ehk täpsemalt bipolaartransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist. mida kasutatakse elektriliste pingete ja voolude võimendamiseks ja genereerimiseks ning ka kontaktivaba lülitina nii nõrk- kui tugevvooluahelates. Ta on praegu kõige enam kasutatavaks pooljuhtseadiseks. Transistor on pooljuhtseadis, millel on kaks P-N-siiret. Tal on kolm osa, millest kaks äärmist on ühesuguse juhtivusega, keskmine aga erineva juhtivusega. Vastavalt sellele, millist juhtivust omab keskmine osa. on võimalik valmistada kaht liiki transistore
impulsspinget. Kuna reguleerelemendi lülitumissagedus on suur (20kHz...100 kHz), siis ei ole sellise impulsspinge silumine tehniliselt raske. Impulss-stabilisaatorite väljundpinge pulsatsioon on siiski suurem kui analoogstabilisaatoritel. 27 4. TRANSISTORID Bipolar JunctioTransistor (BJT) 4.1.Transistori ehitus. Transistoriks ehk täpsemalt bipolaartransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist. mida kasutatakse elektriliste pingete ja voolude võimendamiseks ja genereerimiseks ning ka kontaktivaba lülitina nii nõrk- kui tugevvooluahelates. Ta on praegu kõige enam kasutatavaks pooljuhtseadiseks. Transistor on pooljuhtseadis, millel on kaks P-N-siiret. Tal on kolm osa, millest kaks äärmist on ühesuguse juhtivusega, keskmine aga erineva juhtivusega. Vastavalt sellele, millist juhtivust omab keskmine osa. on võimalik valmistada kaht liiki transistore