1. Kuidas liigitatakse tööpõhimõtte järgi transistore? Mis vahe neil on? Tööpõhimõtte järgi jagatakse nad bipolaartransistorideks (juhtivuses osalevad elektronid ja augud) ja unipolaar- ehk väljatransistorideks (juhtivuses osalevad elektronid või augud). Bipolaartransistore tüüritakse sisendvooluga, väljatransistore tüüritakse sisendpingega. 2. Kirjeldage lühidalt kahe erineva transistoriliigi tüürimise põhimõttelist vahet Bipolaartransistore tüüritakse sisendvooluga, väljatransistore tüüritakse sisendpingega. 3. Loetlege transistori kolm tööreziimi 4. Loetlege bipolaartransistori kolm lülitust ning kirjeldage lühidalt nende lülituste põhiomadusi Ühise baasiga-, emitteri- ja kollektoriga. 5. Nimetage unipolaartransistoride (väljatransistoride) kuus eri liiki Ühise emitteriga-, lättega-, baasiga-, paisuga-, kollektoriga ja neeluga.. 6
sama pinge mis emmitterile või sellest veidi negatiivsema. Avamiseks tuleb baasile anda emmitterist positiivsem pinge. PNP transi puhul on kõik täpselt vastupidi. Pinge tuleb anda muidugi mitte otse,sest siis põleb trans heleda leegiga, vaid eeltakisti kaudu. See tähendabki juhtimist VOOLUGA. Mida suurem on baasivool, seda rohkem trans avaneb, järelikult suureneb ka koormuse vool. Väike baasivoolu muutus põhjustab suurt kollektorvoolu muutust -> transistor VÕIMENDAB. Bipolaartransistore annab skeemi ühendada 3-l eri moel: - ühise baasiga lülitus, - ühise emitteriga lülitus, - ühise kollektoriga lülitus. Ühise baasiga lülitus. Omadused: - väike sisendtakistus (30..150), - suur väljundtakistus (0,5M..2M), - vooluvõimendus < 1, - pingevõimendus mõnisada, - sisend ja väljund liiguvad samas taktis (e. faasis). Märkus: saab kasutada näiteks erinevate signaaliallika alalispinge nivoo sobitamiseks järgneva skeemiga, ntx. RS-232-lt üleminek TTL loogikale.
Praktikas leiavad nad siiski suhteliselt harva kasutamist. Optoelektroonika valdkonda kuuluvaid dioode (valgusdioodid, fotodioodid jt) vaadeldakse kursuse 4. teema all. 3.4. Bipolaartransistorid Transistor on kolme väljaviiguga tüüritav võimendusomadustega pooljuhtseadis. Tööpõhimõtte järgi jagatakse nad bipolaartransistorideks (juhtivuses osalevad elektronid ja augud) ja unipolaar- ehk väljatransistorideks (juhtivuses osalevad elektronid või augud). Bipolaartransistore tüüritakse sisendvooluga, väljatransistore tüüritakse sisendpingega. Bipolaartransistor on "kolmekihiline" pooljuhtseadis, mis koosneb kahest järjestikku asetsevast pn-siirdest, koosnedes seega just nagu kahest järjestikusest dioodist, millest üks on päripingestatud ja teine vastupingestatud. Võrdlus kahe järjestikuse dioodiga on siiski üksnes piltlik võrdlus. Kahe pooljuhtdioodi kokkuühendamisel transistori ei teki,
Nimetus tuleneb sellest, et tööprotsessist võtavad osa kahte liiki laengukandjad: elektronid ja augud. *BIPOLAARTRANSISTOR ehitus Transistor on pooljuhtseadis millel on ( 2p-n siiret) ( emittersiire ja kollektorsiire). Transistor koosneb kolmest osast, millest kaks äärmist on ühesuguse juhtivusega ja kolmas osa on aga erineva juhtivusega. Vastavalt sellele, milline on kolmanda osa juhtivus valmistatakse kahte liiki bipolaartransistore : p-n-p ja n-p-n tüüpi. ( PnP nool sisse ¤ nool välja, NpN) ***PILT*** Ehitusest veel Transistorit võib vaadelda ka nagu kahte omavahel kokku ühendatud dioodi ning seal toimuvad protsessid on võrreldavad dioodides toimuvatega. Emittersiire omab tunduvalt suuremat juhtivust kui kollektorsiire . See on tingitud oluliselt suuremas hulgast laengukandjatest. See on tahtlikult tekitatud. ***PILT*** TÖÖPÕHIMÕTE 1
argumentide väärtused kombinatsioonid ja tabeli paremas veerus igale argumendikombinatsioonile vastav funktsiooni väärtus. AND (JA, loogiline korrutamine, konjuktsioon) OR (VÕI, loogiline liitmine, disjunktsioon) NOT (EI, loogiline eitus, inversioon) Teisendusvalemid: · Diskreetne aeg Mikroskeemide valmistamise tehnoloogiad Esimesed digitaalsetest integraallülitustes kasutati lülituselementidena bipolaartransistore, sest nende valmistamise tehnoloogia oli rohkem arenenud. Hiljem aga osutus, et suure tihedusega lülituste tarbeks on unipolaarne e. väljatransistor palju sobivam. Viimaste valmistamine nõuab vähem tehnoloogilisi operatsioone ja vähem pinda ühe lülituselemendi kohta. Seetõttu valmistati esimesed mikroprotsessorid eranditult väljatransistoride baasil. Vaatamata oma tehnoloogilistele eelistele jäävad väljatransistorid bipolaarsetele siiski alla töökiiruse poolest
Selleks kasutatakse tavaliselt vilgukivist, anodeeritud alumiiniumist, plastikkiledest jt materjalidest isoleertihendit. Soojustakistus pooljuhtseadise alusest jahutusradiaatori ülaosani jääb tavaliselt vahemikku 0,3 to 1 ºC / W. Paljude transistoride ja dioodide pooljuhtkristalli ja kere vahelised soojustakistused ning kere ja jahutusradiaatori vahelised soojustakistused on tootjate poolt näidatud tehniliste andmete lehtedel. Kokkuvõtteks. Muundurite projekteerimisel võib bipolaartransistore valida vaid madalate lülitussageduste puhul. MOSFET-transistorid on eelistatud väikese võimsusega ja kõrgsageduslikes rakendustes. IGBT-transistorid on populaarseimad lülitustransistorid jõupooljuhtmuundurites, mille lülitussagedus on vahemikus 1 kuni 150 kHz. Lülitussageduse valik on jõupooljuhtmuundurite projekteerimise väga tähtis etapp kuna sellest sõltuvad võmsuskadude ja soojusarvutus. 2.5. Ohukaitse Kaitse liigitus
annaabi.ee 
