( TÄHTIS ) P-N siirete elektriväljad on aga vahetult siirete laheduses ning mõjutavad osakesi just seal, baasi muus osas el.väli aga puudub Seetõttu emitterist baasi tulnud elektronid hakkavad seal liikuma difusiooni toimel. Kuna baas on oma ehituselt väga kitsas siis enamik elektrone, liikudes difusiooni toimel ei jõua baasi elektroodini vaid sisenevad kollektorsiirdesse Seal aga valitseb el.väli, mis suunab nad kollektorisse Seega jaguneb emittervool Ie Baasivooluks IB ja kollektorvooluks Ic IE = I C + I B TÖÖ - Aladid, sild alaldid (skeemid ) pinge voolu graafikud, stabilisaatorid, arvutus, operatsioonvõimendid, kasutus, rakendus, parameetridega. IB on palju väiksem kui iC Baasivool moodustav kollektorvoolust 1-8% IC on peaaegu võrdne IE Vooluülekandetegur IK = * IE kus = 0,92....0,99 Avasuunareziim 1.Kui emittersiirde päripingestamise olukorras (transistori norm. Tööreziim),
siis valdav enamik (>95%) päripingestatud emittersiirde kaudu sinna jõudnud elektrone (enamuslaengukandjaid) satuvab vastupingestatud kollektorsiirde elektrivälja mõjualasse, mis suunab elektronid kollektorisse, tekitades kollektorivoolu. Ainult väike osa elektrone rekombineerub baasis aukudega (vähemuslaengukandjatega), mis moodustavad osa baasivoolust (teise osa baasivoolust moodustavad emittersiirde kaudu emitterisse kulgevad augud). Emitterivool kui tervik jaguneb seega baasivooluks ja kollektorivooluks. Baasivool on kollektorivoolust tunduvalt väiksem (suurusjärgus 1...5%). IE = IK + IB ; IB « I K ; IE IK IK = A · IE Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised 14 A on vooluülekandetegur ehk staatiline vooluvõimendustegur, mille väärtus on suurusjärgus 0,95...0,99
lülituse analüüsimisel. Suurenegu meil transistori VT2 baasi vool (siirde j2 vool) rakendatud pinge suurenemise tõttu mingi I võrra. Tema kollektorvool suureneb sel juhul aga võrra. See omakorda põhjustab VTl kollektorvoolu suurenemise, mis avaldub järgmiselt: kus 1 , 2 ja 1 , 2 on vastavate transistoride vooluvõimendustegurid. Kuna esimese transistori kollektorvool on ühtlasi teise transistori baasivooluks, siis juhul, kui Ic1 > IB2 , tekib meil laviinitaoline voolu suurenemine. See tingimus on rahuldatud juhul, kui 1+2>1. Vooluvõimendusteguri väärtus sõltub aga emittervoolu väärtusest ja siit jõuamegi järeldusele, et mingi voolu I1 väärtusel peabki tekkima voolu laviinitaoline suurenemine. Vastupidise tingimuse 1+2 < 1 korral toimub aga voolu laviinitaoline vähenemine, s.o. tagastumine ehk väljalülitumine.
annaabi.ee 
