ÜE-lülituse korral saab suurima võimenduse mitmekümne kilooomise takisti kasutamisel. Alati selline väärtus ei sobi (sest järgmine aste koormab siis signaali maha). Ka väiksema koormuse puhul saab ÜE lülituses piisava võimenduse. Võimendusastmetes töötab ÜE lülituses transistor tavaliselt tööpiirkonna lineaarses osas, sest vaid siis jääb võimendatav signaal moonutamata. Sellisesse reziimi saab transi viia baasiahela takistite õige valikuga. Enamasti seatakse nad nii, et pinge kollektoril on ligikaudu pool skeemi toitepingest. Takistite valikul tasub meeles pidada järgmist - baasiahela takistus Rbe=R1R2/(R1+R2) olgu võimalikult väike, ärgu ületagu emitteritakistust R4 rohkem kui 5 korda. - Emitteriahela takisti R4 tekitab astmes NEGATIIVSE TAGASISIDE ja on suurusjärgus 300 oomi ... 1k. Selline väärtus annab normaalse temperatuuristabiilsuse ja ka sõltumatuse konkreetse transi võimendusest.
UCB0 - kollektori ja baasi vaheline suurim lubatav vastupinge. 4. UEB0 - emitteri ja baasi vaheline suurim lubatav vastupinge (tavaliselt 3...5 V). 5. Icmax - suurim lubatav kollektorivool. 6. ICM - suurim lubatav kollektorimpulssvool. Bipolaartransistore toodetakse lubatud hajuvõimsustele vahemikus 50 W...250 W. Jääkvoolud: 1. ICB0 - kollektori vastuvool. 2. ICE0 - kollektoriahela läbivvool (kollektorivool etteantud kollektoripingel katkestatud baasiahela korral). 3. ICER - kollektori ja emitteri vaheline vastuvool (kollektoriahela vool etteantud kollektoripingel, kui baasi ja emitteri vahel on etteantud väärtusega takistus). Võimendusparameetrid: 1. h21e - vooluvõimendustegur. S 2. h21E, B - staatiline vooluülekandetegur. 3. gm või y21 - läbijuhtivus (väljundvoolu ja sisendpingemuutuse suhe, mA/V). 4. Gp - võimsusvõimendustegur. 5. Pout - väljundvõimsus. 6
temperatuuril ning siirde ja korpuse vaheline soojustakistus Rthja- Teades tegelikku hajuvõimsust ja keskkonna temperatuuri, saab arvutada radiaatori vajaliku soojustakistuse ja valida selle konstruktsiooni. Suurim lubatav kollektorpinge UCER on kollektori ja emitteri vahele rakendatav maksimaalne pinge, kui baasi ja emitteri vahel olev takistus ei ületa teatavat kriitilist väärtust (väikesevõimsuselistel tavaliselt 1 __10 k, suurevõimsuselistel 10...1000). Kui baasiahela takistus on suurem, siis lubatav kollektorpinge väheneb ja seda enam, mida kõrgem on temperatuur. Kollektori ja baasi vaheline suurim lubatav vastupinge U CBO on suurim alalispinge, mida võib rakendada baasi ja kollektori vahele ilma, et transistori parameetrid halveneksid. Emitteri ja baasi vaheline suurim lubatav vastupinge UEB sõltub transistori tüübist ja on enamasti 3... 5 V. Suurim lubatav kollektorvool ICMAX on suurim alalisvool, millega transistor võib
th saab arvutada radiaatori vajaliku soojustakistuse ja valida selle konstruktsioon. Suurim lubatav kollektorpinge U on kollektori ja emitteri vahele rakendatav CER maksimaalne pinge, kui baasi ja emitteri vahel olev takistus ei ületa teatavat kriitilist 47 väärtust (väikesevõimsuselistel tavaliselt 1...10 k, suurevõimsuselistel 10...1000). Kui baasiahela takistus on suurem, siis lubatav kollektorpinge väheneb ja seda enam, mida kõrgem on temperatuur. Kollektori ja baasi vaheline suurim lubatav vastupinge U on suurim alalispinge, mida CBO võib rakendada baasi ja kollektori vahele ilma, et transistori parameetrid halveneksid. Emitteri ja baasi vaheline suurim lubatav vastupinge U sõltub transistori tüübist ja on
temperatuuril ning siirde ja korpuse vaheline soojustakistus R th Teades tegelikku hajuvõimsust ja keskkonna temperatuuri, saab arvutada radiaatori vajaliku soojustakistuse ja valida selle konstruktsioon. Suurim lubatav kollektorpinge UCER on kollektori ja emitteri vahele rakendatav maksimaalne pinge, kui baasi ja emitteri vahel olev takistus ei ületa teatavat kriitilist väärtust (väikesevõimsuselistel tavaliselt 1...10 k, suurevõimsuselistel 10...1000). Kui baasiahela takistus on suurem, siis lubatav kollektorpinge väheneb ja seda enam, mida kõrgem on temperatuur. Kollektori ja baasi vaheline suurim lubatav vastupinge UCBO on suurim alalispinge, mida võib rakendada baasi ja kollektori vahele ilma, et transistori parameetrid halveneksid. Emitteri ja baasi vaheline suurim lubatav vastupinge UEB sõltub transistori tüübist ja on enamasti 3...5 V. 34
annaabi.ee 
