Ühenduselemendid on sama kristalli pinnal; b) Konfigureerimine ei ole destruktiivne protsess; c) Programmerimine toimub pärast toite sisselülitamist ja võimalik on töö ajal ümber konfigureerimine; d) Vajalik toite sisse lülitamisel konfigureerimiseks väline mäluga seade, kus hoitakse kofiguratsiooni faili; e) SRAM elemendid on suured (5 transistori), nõuavad toidet, infoliine, maandust ja valiku liine; f) Saab valmistagda koos muu loogikaga samas CMOS tehnoloogias; g) SRAM mäludelementide disaini on palju ja põhjalikult uuritud. 2) Anti-fuse ja Fuse tehnoloogiad Antifuse tehnoloogia juures tekitatakse kahe metalli vahele voolu impulsiga ühendus. Algselt on metallide vahel amorfne räni millel on väga suur takistus (ühendus metall juhtide vahel praktiliselt puudub) mis voolu impusi toimel sulab ja moodustab ühenduse (väikese takistusega piirkond).
Ühenduselemendid on sama kristalli pinnal; b) Konfigureerimine ei ole destruktiivne protsess; c) Programmerimine toimub pärast toite sisselülitamist ja võimalik on töö ajal ümber konfigureerimine; d) Vajalik toite sisse lülitamisel konfigureerimiseks väline mäluga seade, kus hoitakse kofiguratsiooni faili; e) SRAM elemendid on suured (5 transistori), nõuavad toidet, infoliine, maandust ja valiku liine; f) Saab valmistagda koos muu loogikaga samas CMOS tehnoloogias; g) SRAM mäludelementide disaini on palju ja põhjalikult uuritud. 2) Anti-fuse ja Fuse tehnoloogiad Antifuse tehnoloogia juures tekitatakse kahe metalli vahele voolu impulsiga ühendus. Algselt on metallide vahel amorfne räni millel on väga suur takistus (ühendus metall juhtide vahel praktiliselt puudub) mis voolu impusi toimel sulab ja moodustab ühenduse (väikese takistusega piirkond).
annaabi.ee 
