"vakantsdifusiooni" - 1 õppematerjal

Enn Mellikovi materjalifüüsika ja -keemia konspekt

nende kõrval tühi võresõlm (vakants), kuhu nad võivad asuda (joonis 4.9, 4.10). Vakantsid tahkes kehas on tasakaalulised defektid, s.t. alati on olemas mõned vakantsed kohad, kuhu kõrvalolev aatom võiks difundeeruda. Et temperatuuri tõstmine suurendab nii vakantside 51 kontsentratsiooni kui ka aatomite vibratsioonliikumise energiat, siis on difusioonikiirus väga temperatuuritundlik. Vaatleme Cu vakantsdifusiooni vase kristallvõres joon. 4.9. juhul. Kui aatom, mis asub vakantsi kõrval, omab küllaldast energiat, siis ta võib liikuda vakantskohta ja seega anda enda osa Cu omadifusiooni. Sellise omadifusiooni aktivisatsioonienergia on summa vakantsi moodustumise energiast ja energiast, mida nõuab kohavahetus. On üldreegel: mida kõrgem on materjali sulamistäpp, seda suurem on omadifusiooni aktivisatsioonienergia. Selle