paisuna. Kui rakendada n-kanaliga transistori paisule näiteks negatiivne pinge siis tõukab selle tekitatud elektriväli laengukandjaid - elektrone - kanalist välja seda enam, mida negatiivsem on paisule rakendatud pinge. Vastavalt laengukandjate vähenemisele nõrgeneb kanalit neelu ja lätte vahele rakendatava pinge mõjul ka läbiv vool. Niisuguses reziimis töötavat transistorit nimetatakse laengukandjavaeses e. vaesestusreziimis (inglise depletion-mode-transistor) töötavaks transistoriks. 14. Mida nimetatakse p-juhtivuseks?lk 91 Kui aukude kontsentratsioon on suurem kui vabade elektronide kontsentratsioon. Selle tekitab lisand mitte elektroni lahkumine. Näit kolmevalentse galliumi või iriidiumi lisamine ränisse. Augud on enamusvoolukandjad. Auk on samaväärne positiivse laenguga. Augu laeng on võrdne elektroni laenguga.(lk 88) 15. Mis on pn-siire?lk 92
kanaliga transistor; (b) p-indutseerkanaliga transistor; (c) n-formeerkanaliga transistor; (d) mistahes tüüpi väljatransistori tööpunkti stabiliseerimise skeem [3]. Indutseerkanaliga (rikastusreziimis) MOP-transistori paisule tuleb rakendada sama polaarsusega pinge kui neelulegi (joonis 6.7 b). Pingejaguri takistused tulevad siin megaoomides. Formeerkanaliga väljatransistori võib tööle rakendada kas nn vaesestusreziimis (nagu pn-siirdega väljatransistori joonisel 6.7 a), mil paisul ja neelul on vastupidise polaarsusega pinged, või nn rikastusreziimis (joon. 6.7 b) nagu indutseerkanaltransistori või ka hoopis eelpingeta (UGS = 0; joon. 6.7 c). Paisutakisti takistus võib ulatuda kümnetesse megaoomidesse. Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised 25 Pikkov lk 73 Tähistused:
annaabi.ee 
