on toodud joonisel 5.4. JOONIS 5.4. Kui transistori paisule antav pinge on null, tekib läbi kanali mingi vool. Paisule antava pinge mõjul tekib paisuelektroodi all selle pingest põhjustatud elektrivälja tsoon, kus elektrivälja suund sõltub paisupinge polaarsusest. Kui paisupinge on negatiivne, on elektriväli suunatud aluselt paisule ja hakkab elektrone paisualusest tsoonist ära tõrjuma. Paisu all tekib tühjenduspiirkond ehk vaeguspiirkond, kust elektronid on lahkunud; kanali ristlõige väheneb koos voolu vähenemisega. Negatiivse paisupinge teatud väärtusel kanal sulgub. Sellist reziimi nimetatakse vaegusreziimiks. Tänu paisu all olevale isoleerkihile võime anda paisule ka positiivse pinge. See on rikastusreziim, kus elektriväli on suunatud paisult alusele. Selle toimel nihkuvad P-tsooni augud aluse suunas ja kanal laieneb koos voolu suurenemisega.
Paisule antava pinge mõjul tekib paisuelektroodi all selle pingest põhjustatud elektrivälja tsoon, kus elektrivälja suund sõltub paisupinge polaarsusest. Kui paisupinge on negatiivne, on elektriväli suunatud aluselt paisule ja hakkab elektrone paisualusest tsoonist ära tõrjuma. Paisu all tekib tühjenduspiirkond ehk 46 vaeguspiirkond, kust elektronid on lahkunud; kanali ristlõige väheneb koos voolu vähenemisega. Negatiivse paisupinge teatud väärtusel kanal sulgub. Sellist reziimi nimetatakse vaegusreziimiks. Tänu paisu all olevale isoleerkihile võime anda paisule ka positiivse pinge. See on rikastusreziim, kus elektriväli on suunatud paisult alusele. Selle toimel nihkuvad P-tsooni augud aluse suunas ja kanal laieneb koos voolu suurenemisega.
annaabi.ee 
