Suvapöördusmälud. Suvapöördusmälud on mälud, kus mälu poole pöördumine ja sealt mingi info saamine võtab alati ühepalju aega, olenemata sellest, kus info mälus asub. Suvapöördusmälud jagunevad pooljuht ja magnetmäludeks. Pooljuhtmälud säilitavateks ja mittesäilitavateks (toite kadumisel data kaob): Säilitavad: ROM kiire, kasutaja muuta ei saa, lugemiseks PROM ühe korra programmeeritav dioodide läbipõletamine EPROM korduvalt programeeritav, ujupaisuga transistor, kustutamine UV-valgusega EEPROM ujupaisu laeng määratakse elektriliselt Mittesäilitavad: SRAM kiire, kasutatakse registrites, realiseeritakse transistoridega kristalli pinnal DRAM aeglasem, põhimäludes, realiseeritakse kondensaatoritega, mis asuvad mitmekihiliselt kristalli pinnal Suvapöördus magnetmälu on säilitav mälu. LCD,LED,OLED ja plasma kuvarid. PILET 10. Vahemälu(cache) organiseerimine(otsevastavusega, assotsiatiivne,
Suvapöördusmälud jagunevad pooljuht ja magnetmäludeks. Pooljuhtmälud säilitavateks ja mittesäilitavateks (toite kadumisel data kaob): Säilitavad: ROM kiire, programmeeritakse mikroskeemide tootja juures valmistamise käigus, kasutaja muuta ei saa, lugemiseks PROM ühe korra programmeeritav dioodide läbipõletamine EPROM korduvalt programeeritav, ujupaisuga transistor, kustutamine UV-valgusega EEPROM ujupaisu laeng määratakse elektriliselt, kustutatakse info elektriväljaga Mittesäilitavad: SRAM kiire, kasutatakse registrites, realiseeritakse transistoridega kristalli pinnal DRAM aeglasem, põhimäludes, realiseeritakse kondensaatoritega, mis asuvad mitmekihiliselt kristalli pinnal Suvapöördus magnetmälu on säilitav mälu. XVII. Pooljuhtmälud /192-201/
Kui ujupaisus on elektronid, siis kanalist elektronid läbi liikuda ei saa. Seega see on vist mäluefekt. EEPROM: Korduvalt ümberprogrammeeritav püsimälu, mida saab eelnevalt kustutada elektriliselt. Kustutus võib toimuda ka üheaegselt programmeerimisega, kuid igal juhul on see üsna aegaviitev protsess. Puuduseks on suhteliselt kõrge hind. Puuduseks on see, et EEPROM nõuab programmeerimiseks kahte pinget ( tööpinge ca 5 V ning sellest kõrgem programmeerimispinge ca 12 V ). Kahe ujupaisuga on võimalik saavutada 4 erinevat seisundit. Paisud tyhjad, yks täis teine tyhi ja vastupidi ja mõlemad tühjad. Mällu kirjutamine ja mälust kustutamine käib paisu pinge reguleerimisel ja mälust lugemine käib suudme(Drain vist) kaudu. SRAM: Muutmälu staatilistel mäluelementidel, mis ei vaja perioodilist värskendamist ( näiteks trigerid MOP-transistoridel ). DRAM: Muutmälu tüüp, kus andmeid esitatakse väikese mahtuvuse laenguna või
annaabi.ee 
