orbitaalkvantarv l iseloomustab elektroni liikumishulga momenti, magnetkkantarv m l iseloomustab liikumishulga momendi suunda, spinnkvantarv m s on elektroni omaimpulssmoment. Aatomifüüsika energiaühik 1 eV on võrdne tööga, mis tehakse elektroni ümberpaigutamisel elektrivälja ühest punktist teise, kui nende punktide potensiaalide vahe on 1 V. 12 TAHKESTITE STRUKTUUR . METALLID , POOLJUHID JA DIELEKTRIKUD Kristallid on tahkete ainete levinuim olelusvorm. Kristallides on aatomid / ioonid paigutatud korrastatud kristallvõredesse, milledes osutub nende kogumie potensiaalne energia minimaalseks. Lisandid mõjustavad oluliselt tahkestite elektrilisi, optilisi omadusi. Seepärast kuulub lisandamine ehk legeerimine elektrotehnilise materjali -2 -6 valmistamistehnoloogiasse
0 10 % - lisandid 0 0,1 % - täidised Tahkestid: · rasvhapete soolad e. seebid ( näit. liitiumstearaat ) · tahked süsivesinikud ( n. parafiin, tseresiin, petrolaatum) · anorgaanilised ained ( n. grafiit, bentoniit, asbest ) · orgaanilised ained ( n. tahm, polükarbamiid) Lisandid: · antioksüdandid · roosteinhibiitorid · kulumisvastased · sööbimisvastased · viskoossusparendid jm. Täidised: MoS2, talk, vilk, polümeerid jm. Tahkestite omadused (vt. tabel TTÜ 9. osa). Nõuded plastsetele määretele: 1. ei tohi kergesti vedelduda ( iseloomustab tilketäpp) 2. peavad olema koostiselt ühtlased (ei tohi olla lahustumata tahkeid tükke v. vedelat õli) 3. peavad olema töötingimustele vastava konsistentsiga. Kui määre liiga paks, siis ta liigub kanaleis halvasti ja kui liiga vedel võib hõõrdesõlmest välja voolata. Määrde paksust iseloomustab penetratsiooniarv. 4
annaabi.ee 
