transistori erineva juhtivusega tsoone), kondensaatoritena (kasutades siirde mahtuvusi). Pind kaetakse isoleeriva oksiidikihiga ja selle peale tekitatakse elementidevahelised ühendusjuhtmed ja kondensaatorite ülemised plaadid. Toodud näite korral toimib teise transistori baasi P tsoon takistina (emitter on jäetud tekitamata) ja kolmanda transistori alumine N tsoon kondensaatori alumise plaadina. Kaasajal ei osata valmistada kõiki vajalikke elemente mikrolülituste sisse. Nendeks on suuremahtuvulised kondensaatorid ja täppistakistid. Nimetatud elemendid lisatakse mikrolülitustele väljastpoolt. Peale nimetatud elementide lisatakse väljastpoolt ka need elemendid ,millest sõltub mikrolülituse konkreetne kasutus, sest sageli valmistatakse mikrolülitused universaalsetena, mille lõplik kasutusskeem kujundatakse koos lisatavate elementidega. 111 Mikrolülitused jagunevad kahte suurde gruppi: loogika ehk impulsslülitused ja analooglülitused
kondensaatoritena (kasutades siirde mahtuvusi). Pind kaetakse isoleeriva oksiidikihiga ja selle peale tekitatakse elementidevahelised ühendusjuhtmed ja kondensaatorite ülemised plaadid. Toodud näite korral toimib teise transistori baasi P tsoon takistina (emitter on jäetud tekitamata) ja kolmanda transistori alumine N tsoon kondensaatori alumise plaadina. Kaasajal ei osata valmistada kõiki vajalikke elemente mikrolülituste sisse. Nendeks on suuremahtuvulised kondensaatorid ja täppistakistid. Nimetatud elemendid lisatakse mikrolülitustele väljastpoolt. Peale nimetatud elementide lisatakse väljastpoolt ka need elemendid ,millest sõltub mikrolülituse konkreetne kasutus, sest sageli valmistatakse mikrolülitused universaalsetena, mille lõplik kasutusskeem kujundatakse koos lisatavate elementidega. Mikrolülitused jagunevad kahte suurde gruppi: loogika ehk impulsslülitused ja analooglülitused.