"sisseseadmetele" - 1 õppematerjal

Kermised ehk kõvasulamid

Karbiidi saamiseks TiO2 segatakse hoolikalt vedelikus grafiidiga vahekorras 68,5 % TiO2 ja 31,5% grafiiti (tahma), segu puistatakse grafiitkonteinereisse või pressitakse toorikud, mis asetatakse grafiitlaevukesse või - tiiglisse ja kuumutatakse H2 või CO keskkonnas või vaakumis o temperatuurivahemikus 1700 ­ 1900 C kestusega 0,5 tundi. See on odavaim TiC saamise meetod, tänu standardsele ja odavamatele sisseseadmetele ning odavale toorainele. o TiC moodustumine algab juba 1200-1400 C juures. Tööstusliku TiC saamiseks o kuumutatakse Ti ja C segu 1900-1950 C juures kestusega 0,5 tundi. Selle tehnoloogia järgi valmistatud karbiid (TiC) sisaldab 19,5-20,3 % seotud süsinikku ja 0,1-0,8% vaba süsinikku. TiO2 ­ st karbidiseerimisprotsess läbib mitu staadiumit (hapniku vähenemise