Rikastusreøiim (Enhancement) paisule on rakendatud positiivne pinge - elektronide konsentratsioon dielektriku läheduses kasvab ning sellega koos kasvab ka neeluvool [vaata | 16. Opvõimu ehitus ja tööpõhimõte. muuda] OV ehituse lihtsustatud skeem: sisend-, vahe-, lõppaste. Ideaalse OV parameetrid: sisendvoolud, sisendpinged, pingevõimendustegur, sagedustunnusjoon. Tegasisideta ja tagasisidega reaalse võimendi sagedustunnusjoon. OV sisendsignaalid: ühissignaal ja diferentssignaal, ühissignaali summutamine. OV on skeem, kuhu on yhele aluskristallile tehtud valmis kõik skeemiosad (takistid, dioodid, transistorid, kondekad). Idee on soojusliku mõju kõikidele elementidele on yhesugune, juhtmete arvu vähendamine (seega ka mahtuvuse ja induktiivsuse v2hendamine)
takistus. Inventeeriva võimendi väljund takistus on suurem kui opvõimendil sest kui me koormane taolise võimendi väljundit siis toob see kaasa väljundpinge vähenemise, väheneb ka sisend pinge väljund pinge ei suurene kuna miski teda ei kompenseeri ja seega ongi väljundtakistus opvõimendi väljundtakistusest suurem. Joonis 2.9.2 täiendus. Kui kasutada elementaarset inventeerivat võimendit siis võib tekita tema toimes sisendvooludest toime viga, kuna sisendvoolud I- kulgeb sisendisse läbi takistuse I+ aga otse maast. See tekitab sisend pingete erinevuse. Selle nähtuse likvideerimiseks lisatakse mitteinventeerivasse sisendisse takistus mille väärtus võetakse võrdseks inventeeriva sisendi ja maa vahelise takistusega ning kui lisada see takistus siis tekib sisendites olevate takistustes võrdne pingelang ning eelnimetatud probleemi ei teki. 2.10 Opvõimendi sageduskarakteristika
annaabi.ee 
