lahustuvusega asendatatud on piiratud arv aatomeid; - piiramatu lahustuvusega asendatud on mis tahes hulk aatomeid. Piiramatu asendustardlahuse tekkimise eeltingimuseks on: 1) komponentide tüübilt ühesugused kristallivõred 2) komponentide ligilähedased aatomi raadiused. Sisendustardlahus- lahustuva komponendi aatomid paigutuvad eelkõige lahustujakomponendi kristallivõre suurematesse tühikutesse ehk pooridesse. Näiteks kristallivõre K12 korral kuubi keskele. Sisendustardlahuste korral paigutuvad lahustajakomponendi (nt Fe, Cr, Mo jt.) kristallivõresse eelkõige väikese aatomi raadiusega mittemetalli aatomid (C, N, H jt.). Sisendustardlahused saavad olla ainult piiratud lahustuvusega, sest tühikute (pooride) arv, kuhu võivad paikneda lahustunud komponendi aatomid, on piiratud. keemiline ühend - erinevad tardlahusest selle poolest, et nendel on komponentide kristallivõredest erinev kristallivõre. Keemilise ühendi kristallivõrele on omane
moodustavad väikese aatomi raadiusega mittemetallidega (C, N, B, H) sisendusfaasidena tuntud keemilisi ühendeid, kusjuures metalli ja mittemetalli aatomi raadiuste erinevus on suur (RM/RX 1,7 või RX/RM 0,59). Sisendusfaaside komponentide aatomite arvu suhe on lihtne täisarvkordne ja selliste keemiliste ühendite valemiteks on M4X, M2X, MX, MX2 jne (kus M on metall ja X on mittemetall) ja nende kristallvõred on sarnased sisendustardlahuste kristallvõredega (tavaliselt esinevad võretüübid K8, K12 või H12). Sisendusfaase süsinikuga nim. karbiidideks, lämmastikuga nitriidideks, booriga boriidideks jne. Tuntuimaks sisendusfaasiks rauasüsiniku- sulameis on Fe3C (raudkarbiid), kus raua ja süsiniku aatomite suhe (baasaatomite suhe) on 0,60. Kui rauale on omane kuupvõre (K8 või K12), süsinikule grafiidivõre, siis raudkarbiidile on omane keerukas rombiline kristallivõre (selles on 12 raua ja 4 süsiniku aatomit). 3
annaabi.ee 
