"sisendtardlahuste" - 1 õppematerjal

Tehnomaterjalide eksami materjal

2)Komponentide ligilähetased aatomi raadiused (aatomi raadiuste erinevus R 15 %). Kristallvõrede samakujulisust ja aatomi raadiuste ligilähedust nim. isomorfismiks ja seda tüüpi tardlahused moodustuvad Ag-Au, Ni-Cu, Mo-W, V-Ti jt süsteemide sulameis. b)Sisendustardlahus - sisendustardlahuse korral paigutuvad lahustuva komponendi aatomid eelkõige lahustajakomponendi kristallvõre suurematesse tühikutesse(pooridesse), näiteks kristallvõre K12 korral kuubi keskele. Sisendtardlahuste korral paigutuvad lahustaja kompnendi (nt Fe,Cr,Mo jt) kristallvõresse eelkõige väikese aatomi raadiusega mittemetalli aatomid (C, N, H jt) (joonis 1.33b, lk30). Kuna tühikute(pooride) arv, kuhu võivad paikneda lahustunud komponendi aatomid, on piirataud, siis saavad sellised lahused olla ainult piiratud lahustuvusega. c)Keemiline ühend ­ keemilist ühendit erinevalt tardlahusest iseloomustab komponentide