Maa on neil ühine elektrod => juhitakse baasi poolt Transistori väljundkarakteristikud: 5 Ühtlaste vahedega baasivoolude korral ik ik Transistori parameetrid: h21e = ib ib See on voolu võimenduse tegur u be h11e = - leitakse kui dif. takistus sisendkarakteristikult ib h21e = 100...250 tavaliselt pnp on tavaliselt abistav variant. Seal on kõik vastupidi ehk siis augud juhivad voolu jmt. 1.11. Väljatransistor, ehitus, karakteristikud ja põhiparameetrid Väljatransistor (nõrgem vool kui bipolaarsetes transistorides, arvutitehnikas peamised) Allolev joonis on p-kanaliga ehk siis tegelt on see abistava transistori joonis, õige oleks n kanaliga ehk siis kõik on vastupidi. -metall
31 Kui UKE=0, siis kollekt. siire pinge UBE ja kollekt. siire injekteerib auke baasi, IK = 0. 32 BP liittransistor (Darlington`i lülitus). Üldine voolu ülekandetegur: = 1 + 2 + 12; kuna 1 >> 1; 2 >>1 siis 12 -------------- Transistori parameetrid (ÜE) h param. süsteemis: h21E = iK/iB ik/iB vooluvõimenduse tegur; h11E = UBE/iB transistori sisendtakistus leitakse kui diferentsiaalne takistus sisendkarakteristikult. h21E = 50 250 tavaliselt. Võib olla h21E = 30 3000 Tehnoloogia "superbeta" h21D = 500... 33 Väljatransistorid (unipolaarsed), FET Väljatransistoris liiguvad ühenimelised laengukandjad kanalis, mille juhtivus muudetakse elektrivälja abil. Väljatransistorid: p-n siirdega, isoleeritud paisuga. Pais, Gate, , Lätte, Source, , Neel, Drane,
annaabi.ee 
