kasvatatakse järgnevalt silindrikujuline monokristall. (2) Lihtaine saamine: Räni saadakse puhtast kvartsliivast redutseerimisel magneesiumi või söega (koksiga) kõrgel temperatuuril: SiO2+2Mg2MgO+Si SiO2 + 2C 2CO + Si (kaarleekahjus 1800 ºC) Viimasel reaktsioonil võib tekkida ränikarbiid (SiC), mis reageerides ränidioksiidiga moodustub Si ja CO: 2SiC + SiO2 3Si + 2CO Väga puhast räni saadakse ränihalogeniidide (SiCl4 või SiHCl3) redutseerumisel ülipuhta vesinikuga (1200 1300 ºC): SiCl4 + 2H2 Si + 4HCl SiHCl3 + H2 Si + 3HCl (1) 4.Omadused 4.1 Keemilised omadused: 1. Elektronegatiivsus Paulingu järgi: 1,8 2. Oksiidi tüüp: neutraalne (1) 3. Räni ei reageeri vee ega hapetega (v.a. HF), toateperatuuril reageerib leeliste ja fluoriga, kõrgemal temperatuuril teiste halogeenide, lämmastiku ja mõne metalliga (tekivad silitsiidid); vesinikuga otseselt ei reageeri. (15)
ingl. silicon, vene кремний (кремень), pr. silicium saksa: elemendina küll das Silízium, muidu Kíesel (ränikivi), näit. die Kíeselsäure – ränihape Saamine Liiva ja söe (koksi vm.) segu kuumutamisel kaarleek-ahjus (1800ºC): SiO2 + 2C → Si + 2CO Pärast erilist happetöötlust saadakse 99,9%-lise Si-sisaldusega produkt. Teised meetodid (elektrol.) – tööstuses väga vähe Kõrgpuhas Si (saam.): 99,9%-line Si → SiCl 4 või SiHCl3; klooriühendid: rektifikatsioon jt. puhastusmeetodid, redutseeritakse ülipuhta H2-ga (1200-1300ºC) → Si Ülipuhas Si: 10-7 - 10-8% lisandeid kokku sageli → monokristallid Ülipuhast Si kasutatakse üsna palju (ainuüksi monokristallilist ca 3000 t/a). Profileeritud monokristallid, epitaksiaalkiled. 3.9.2. Füüsikal. ja keemil. Omadused vt. tabel p. 3.7. Kristallil. kompaktne Si metalliläikega tume-hõbehall
annaabi.ee 
