Transistoride omaduste ja parameetrite kõige tugevamaks mõjutaja on temperatuur. See tuleneb vähemuslaengukandjate kontsentratsiooni temperatuurisõltuvusest. Olulisimaks mõjutajaks on kollektori vastuvoolu temperatuuri sõltuvus, mille põhjuseks on täiendavate vähemuslaengukandjate tekkimine temperatuuri tõusul. Toime avaldub kollektori ja emitteri voolu suurenemises baasivoolu muutumatuna olles. Praktiliselt avaldub see kollektori algvoolu suurenemises, mille hindamine võib toimuda samareegli alusel kui dioodi vastuvoolu suurenemine, s.t. iga 10 °C kohta suureneb vastuvool kahekordseks. Väljundtunnussarjal avaldub see tunnusjoonte nihkumisena. Joonisel 4.10 on näidatud väljundtunnusjoonte muutus temperatuuri tõusmisel. Kollektorsiirde temperatuuri mõjutab ka kollektori hajuvõimsus. Sellest tuleneva täiendava temperatuuri sõltuvuse vältimiseks tuleb kollektorsiirde temperatuur hoida lubatavates piirides.
Transistoride omaduste ja parameetrite kõige tugevamaks mõjutaja on temperatuur. See tuleneb vähemuslaengukandjate kontsentratsiooni temperatuurisõltuvusest. Olulisimaks mõjutajaks on kollektori vastuvoolu temperatuuri sõltuvus, mille põhjuseks on täiendavate vähemuslaengukandjate tekkimine temperatuuri tõusul. Toime avaldub kollektori ja emitteri voolu suurenemises baasivoolu muutumatuna olles. Praktiliselt avaldub see kollektori algvoolu suurenemises, mille hindamine võib toimuda samareegli alusel kui dioodi vastuvoolu suurenemine, s.t. iga 10 °C kohta suureneb vastuvool kahekordseks. Väljundtunnussarjal avaldub see tunnusjoonte nihkumisena. Joonisel 4.10 on näidatud väljundtunnusjoonte muutus temperatuuri tõusmisel. Kollektorsiirde temperatuuri mõjutab ka kollektori hajuvõimsus. Sellest tuleneva täiendava temperatuuri sõltuvuse vältimiseks tuleb kollektorsiirde temperatuur hoida lubatavates piirides. Tavaliselt on see võimsate transistoride
annaabi.ee 
