Elektroonika alused (õpik,konspekt)
Siinussignaalide korral aga vähenevad
väljundvoolu muutused, kuna signaali ühel poolperioodil baasi läinud laengukandjatest
jõuab osa kollektorisse hoopis teisel poolperioodil ja tulemuseks ongi väljundvoolu
muutuste vähenemine.
Võime öelda, et transistoride sageduslike omaduste parendamiseks on olemas
kolm võimalust: 1) vähendada kollektorsiirde mahtuvust; 2) vähendada baasi laiust; 3)
suurendada laengukandjate liikumiskiirust baasis. Neid võimalusi arvestatakse
kõrg-sagedulike transistoride konstrueerimisel. Lisaks on füüsikast teada, et
elektronide liikuvus pooljuhis on peaaegu kaks korda suurem aukude liikuvusest. See on
üheks põhjuseks, miks kaasajal eelistatakse n-p-n transistore p-n-p transistoridele.
Kõik nimetatud põhjused võimendusteguri vähenemiseks võtavad kokku transistori
sagedusparameetrid f , f ja fT.
6.9. Transistoride omaduste sõltuvus temperatuurist ja tööpunktist
annaabi.ee 
