Vajad kellegagi rääkida?
Küsi julgelt abi LasteAbi
Logi sisse
Sulge

"ruumilaeng" - 6 õppematerjali

LCD ja CRT monitorid
12
docx

LCD ja CRT monitorid

tsinkkaaliumi segu, mis on aktiveeritud kaadmiumi ja hõbedaga. Arusaadavalt on kasutatavad luminofoorimaterjalid sageli firmasaladusteks. Kuna ekraanile langeb töötades pidevalt elektrone, siis peaks ekraan laaduma negatiivselt. Tegelikult aga esineb sekundaaremissioon ja selle tulemusena laadub ekraan hoopis positiivselt. Ekraanilt sekundaaremiteerunud elektronid liiguvad positiivselt pingestatud anoodile. Sekundaaremiteerunud elektronide kiirus on aga ekraani läheduses väike ja tekib ruumilaeng, mis hajutab elektronkiirt. Ruumilaengu kõrvaldamiseks kaetakse toru sisekülg voolujuhtiva grafiitemulsiooni kihiga (akvadaagiga), mis ühendatakse teise anoodiga. Kasutatakse ka alumineeritud ekraani. Alumineeritud ekraani puhul kaetakse ekraani sisekülg õhukese, elektronidele "läbipaistva" alumiiniumi kihiga. Et elektronid suudaksid alumiiniumikihti edukalt läbida, kasutatakse kõrgemat anoodpinget. Ekraanile langevate elektronide energiast muutub valguseks 2..

Informaatika → Arvutite lisaseadmed
22 allalaadimist
Funktsionaalsed materjalid I kontrolltöö vastused
9
pdf

Funktsionaalsed materjalid I kontrolltöö vastused

2 ­ igal nivool võib olla kaks elektroni (vastupidise spinniga) Doonorlisandiga legeeritud (n-tüüpi) pooljuhis toatemperatuuril n Ndp , kus Nd on doonorite kontsentratsioon, ja = n = e * n *n e *Nd *n Aktseptoriga legeeritud (p-tüüpi) pooljuhis p Nan , kus Na on aktseptorite kontsentratsioon ja = p = e * p *p e *Na *p 2.2 p-n siire P-n siire on pooljuhis p-juhtivusega ja n-juhtivusega ala vaheline piir (alad on tekitatud erineva legeerimisega). Siirdealal tekib ruumilaeng, mis tekitab sisemise elektrivälja. Vaatleme seda joonise 2.14 näitel. Eraldi võttes (a) on p-tüüpi pooljuhis negatiivselt laetud aktseptorlisandi ioonid ja vabad augud, n-tüüpi pooljuhis aga positiivselt laetud doonorlisandi ioonid ja vabad elektronid. Kui need alad on kontaktis, hakkab toimuma elektronide difusioon n-alalt p-alale, kus nende kontsentratsioon on tunduvalt väiksem, ja vastupidi, aukude difusioon p-alalt n-alale

Informaatika → Funktsionaalsed materjalid
97 allalaadimist
Teema 4-Optoelektroonika elemendid ja infoesitusseadmed
43
pdf

Teema 4, Optoelektroonika elemendid ja infoesitusseadmed

Näiteks annavad tsinksulfiid ja tsinksilikaat rohelise helenduse, kuid esimesel on järelhelendus pikk, teisel aga lühike. Kuna ekraanile langeb töötades pidevalt elektrone, siis peaks ekraan laaduma negatiivselt. Tegelikult aga esineb sealjuures sekundaaremissioon ja selle tulemusena laadub ekraan hoopis positiivselt. Ekraanilt sekundaaremiteerunud elektronid liiguvad positiivselt pingestatud anoodile. Sekundaaremiteerunud elektronide kiirus on ekraani läheduses väike ning tekib ruumilaeng, mis hajutab elektronkiirt. Ruumilaengu kõrvaldamiseks kaetakse toru sisekülg voolujuhtiva grafiitemulsiooni kihiga (nn akvadaagiga), mis ühendatakse teise anoodiga. Samal otstarbel kasutatakse ka alumineeritud ekraani. Alumineeritud ekraani puhul kaetakse ekraani sisekülg õhukese, elektronidele "läbipaistva" alumiiniumi kihiga. Et elektronid suudaksid alumiiniumikihti edukalt läbida, kasutatakse kõrgemat anoodpinget. Ekraanile langevate elektronide energiast muutub valguseks 2..

Elektroonika → Elektroonika alused
58 allalaadimist
Teema 3-Pooljuhtseadmed
46
pdf

Teema 3, Pooljuhtseadmed

ühtlustamise käigus p-piirkonnast n-piirkonda (aukude difusioon). See protsess ei kulge aga laengukandjate kontsentratsiooni ühtlustumiseni kogu kristallis, kuna n-pooljuhist lahkunud elektronid jätavad endast maha nendega võrdse arvu paikseid positiivseid ioone. Samuti tekivad p-pooljuhist lahkuvate aukude tõttu paiksed negatiivsed ioonid. n- ja p-pooljuhtide eralduspiiri juures tekib n-juhtivusega materjalis positiivne ruuumilaeng ja p-juhtivusega materjalis negatiivne ruumilaeng. Need vastasmärgilised laengud tekitavad pooljuhtide kontaktpinna piirialal sisemise elektrivälja, mida nimetatakse potentsiaalibarjääriks (ingl. k. build-in voltage), mis lõpetab laengukandjate edasise difusiooni läbi kontatpinna (moodustub tõkkekiht, ingl. k. depletion region). Potentsiaalibarjääri suurus on räni puhul 0,6...0,7 V ja tõkkekihi paksus on 1...5 mm; mõlemad sõltuvad lisandikontsentratsioonidest. Laengukandjate

Elektroonika → Elektroonika alused
105 allalaadimist
Elektroonika alused-õpik konspekt
108
pdf

Elektroonika alused (õpik,konspekt)

hõbedaga. Arusaadavalt on sageli kasutatavad luminofoorimaterjalid firmasaladusteks. Kuna ekraanile langeb töötades pidevalt elektrone, siis peaks ekraan laaduma negatiivselt. Tegelikult aga esineb sekundaaremissioon ja selle tulemusena laadub ekraan hoopis positiivselt. Ekraanilt sekundaaremiteerunud elektronid liiguvad positiivselt pingestatud anoodile. Sekundaaremiteerunud elektronide kiirus on aga ekraani läheduses väike ja tekib ruumilaeng, mis hajutab elektronkiirt. Ruumilaengu kõrvaldamiseks kaetakse toru sisekülg voolujuhtiva grafiitemulsiooni kihiga (akvadaagiga), mis ühendatakse teise anoodiga. Kasutatakse ka alumineeritud ekraani (vt. joonis 9.6). Alumineeritud ekraani puhul kaetakse ekraani sisekülg õhukese, elektronidele "läbipaistva" alumiiniumi kihiga. Et elektronid suudaksid alumiiniumikihti edukalt läbida, kasutatakse kõrgemat anoodpinget. JOONIS 9.6.

Elektroonika → Elektroonika
560 allalaadimist
Elektriajamite elektroonsed susteemid
240
pdf

Elektriajamite elektroonsed susteemid

Joonis 3.14 näitab, et IGBT-transistori paisupinge peab olema sulgemisel ja suletud olekus emitteri potentsiaali suhtes negatiivne (soovitatavad pinge väärtused -5...-8...-15 V). See tekitab sulgemiseks vajaliku negatiivse paisuvoolu (pinge UGE läheneb pingele UGE(th)), mis on piisav, et 108 tekitada sulgumisaja vältel kiire pingemuutuse sUCE abil n- triivpiirkonnas positiivne ruumilaeng. Antud protsessiga kaasneb kiirelt mööduv jääkvool ehk sabavool (tail current). Juhtimistingimuste mõju lülitusomadustele. Kuna IGBT-ja MOSFET-jõutransistoride tähtsamad juhtimisomadused sõltuvad juhtpingetest (UGG+ või UGG-) ja paisutakistusest (RG), on alljärgnevas tabelis toodud ülevaade juhtimisomaduste ja transistori põhiparameetrite vahelisest sõltuvusest. Parameeter UGG+ kasvab UGG- kasvab RG kasvab

Elektroonika → Elektrivarustus
113 allalaadimist


Sellel veebilehel kasutatakse küpsiseid. Kasutamist jätkates nõustute küpsiste ja veebilehe üldtingimustega Nõustun