astme sisendtakistus ei ole vabalt valitav, siis elemendiks, mille valikust sõltub alumine sageduspiir on sidestus kondensaator. Võimendi ülemine võimenduspiir Rakenduselektroonika 6 sõltub põhiliselt kasutatavate transistoride sagedusomadustest so. võimenduse piir sagedus ehk transiitsagedus. Ühendades otseselt esimese astme kollektori teise astme baasiga tekib prakitiliselt oht, et teise astme transistor läheb küllastusse, kuna tema baas saab liiga kõrge pinge, ning võimendi lakkab võimendamast. Samas on võimendi kasutamine vägagi ahvatlev, sest terve rida elemente jääb ära, ning vähenevad ka sagedus moonutused. Ereiti oluline on see mikroelektroonikas, sest senini ei osata valmistada intergraalselt suure mahtuvuslisi kondensaatoreid. Prakitilise realiseerimise võimaluseks on kasutada esimesest astmest kõrgemat tööpunkti, kuna seljuul
nagu Mn, Sn, Al, Fe või Ni lisamine tõstab märgatavalt messingi tugevust. Mn-sisaldavad sulamid on tuntud kõrgtugevate messingitena, mis on kas kahefaasilised, aga ka mõnikord ainult ühefaasilised. Neid kasutatakse valatuna (head valuomadused tänu väikesele kristallisatsioonivahemikule) või kuumsurvetöödelduna ühefaasilisi messingeid kasutatakse mõningate messingjoodiste põhimaterjalina. Üle 50% Zn-sisaldusega messingeid prakitiliselt ei kasutata, kuna struktuuri tulev -faas teeb sulami hapraks. Messingid ei nõua sulatise desoksüdeerimist enne vormi valamist, kuna esiteks alandab Zn tunduvalt messingi sulamistemperatuuri (970°C), teiseks tõrjub osa Zn lendumine sulatistest hapnikku (kerged tsingiaurud moodustavad vedelmetalli pinnal kaitsva keskkonna). c)Pronksid 1)Tinapronksid Tinapronkside Sn-sisaldus ei ületa kasutatavais tinasulameis 20%, kuna struktuuri tulevad haprad - ja -faas
annaabi.ee 
