ruuduga. Vektor on suunatud piki laengut ja antud väljapunkti läbivat sirget + laengust eemale ja laengu poole. Laengute süsteemi väljatugevus on võrdne nende väljatugevuste vektorsummaga, mida tekitavad kõik süsteemi kuuluvad laengud üksikult. 2. suurust, mis on võrdne positiivse ühiklaengu ümberpaigutamiseks tuleva kõrvaljõudude tööga nimetatatkse emj. E=A/q (V) 3. Pooljuhtventiiliks on pooljuhtkristall, kus on loodud auk-ja elektronjuhtivusega piirkonnad ning nende puutepinnal asuv tõkkekiht ehk siire. n- pooljuhid(elektronjuhtivus) p-pooljuhid(aukjuhtivus) 4. Aineid, milles elektrivool tekitab keemilisi muutusi nimetatakse elektrolüütideks. 1)galvanoplastika 2)galvanosteegia 3)elektrometallurgia 4)elektrolüütiline poleerimine 5) elektrolüütkondekad 6)keemilised
voolusuund) DIOOD Siirdekiht p ja npooljuhi vahel, pnsiire juhib elektrivoolu ainult suunas ppoolmelt npoolmele; seetõttu toimub vahelduvvooluringi lülitatud pnsiire (diood) alandina ( joonis pooljuhtdiood juhib voolu vaid ühes, pärisuunas), ( joonis pooljuhtdiooni voltamperkõver (tunnusjoon), nõrka vastuvoolu tingib omajuhtivus), ( joonis pooljuhtdioodi läbilõige Iisolaator, Khermeetiline kest, Ppnsiirdega pooljuhtkristall, tingmärk) TRANSISTOR Transitor on pooljuhtseadis elektrisignaalide võimendamiseks, muundamiseks ja genereerimiseks. Kui kaks pnsiiret luuakse vastasjärjestuses (nt np ja pn), saadakse transistor. ( joonis npn ja pnp transistori läbilõige ja tingmärk kummagi transistorvõimendusastme lülitusvisandil) http://www.abiks.pri.ee
Vektor on suunatud piki laengut ja antud väljapunkti läbivat sirget + laengust eemale ja – laengu poole. Laengute süsteemi väljatugevus on võrdne nende väljatugevuste vektorsummaga, mida tekitavad kõik süsteemi kuuluvad laengud üksikult. 2. suurust, mis on võrdne positiivse ühiklaengu ümberpaigutamiseks tuleva kõrvaljõudude tööga nimetatatkse emj. E=A/q (V) 3. Pooljuhtventiiliks on pooljuhtkristall, kus on loodud auk-ja elektronjuhtivusega piirkonnad ning nende puutepinnal asuv tõkkekiht ehk siire. n-pooljuhid(elektronjuhtivus) p-pooljuhid(aukjuhtivus) 4. Aineid, milles elektrivool tekitab keemilisi muutusi nimetatakse elektrolüütideks. 1)galvanoplastika 2)galvanosteegia 3)elektrometallurgia 4)elektrolüütiline poleerimine 5)
Teooria Lihttüristor (üheperatsiooniline türistor) on mitme pn - siirdega pooljuhtseadis, mis päripinge olemasolul pärast tüürvoolu impulssi juhib voolu anoodilt katoodile. Türistori aluseks on ränikristallist plaat või ketas, millel asetsevad vaheldumisi p- ja n- juhtivusega kihid. Anood- ja katoodväljastuseks on välimised pooljuhtkihid. Jõuelektroonika seadmetes (juhitavad alaldid, vaheldid jm) kasutatavatel türistoridel ehk jõutüristoridel on neljakihiline pooljuhtkristall, kusjuures väliskihid on legeeritud tugevalt sisemised aga nõrgalt. Nõrgalt legeeritud kihid vähendavad vastupingestatud siirde ruumilaengut ja vähendavad elektrivälja tugevust suurendades siirete lubatavat vastupinget. Lihttüristori struktuur ja tingmärk on toodud joonisel 3.10. Anoodtoiteallikas on reguleeritava pingega UA, koormustakisti Rk piirab anoodvoolu ja reostaadiga RG reguleeritakse tüürvoolu. Juhul kui lüliti S on avatud (IG = 0) on päripingestatud
nulliga. 2.seadus - Kinnises saame takistuste suhte juures kontuuris võrdub emj. R/r=1 kasutegur on siis 50% 3. Algebraline summa pinge Reaktiivtakistused - Kui langudega algebralise eeldada, et kondensaatoris R ~ summaga. 3. Pooljuhtventiil 0, siis vastavalt ohmi seadusele e. diood - Pooljuhtventiiliks on tekib takistus, mida pooljuhtkristall, kus on loodud nimetatakse mahtuvuslikuks auk- ja elektronjuhtivusega reaktiivtakistuseks ja piirkonnad ning nende tähistatakse XC=1/wC. 4. puutepinnal asuv tõkkekiht Isoprotsessid - protsess mille e.pn siire. n-pooljuhid käigus üks olekuparameetritest (elektronjuhtivus) p-pooljuhid ei muutu. Isoprotsesse on: (aukjuhtivus). 4. isobaariline, isohooriline,
pöördvõrdeline laengu ja antud väljapunkti vahelise kauguse ruuduga. Vektor on suunatud piki laengut ja antud väljapunkti läbivat sirget + laengust eemale ja laengu poole. Laengute süsteemi väljatugevus on võrdne nende väljatugevuste vektorsummaga, mida tekitavad kõik süsteemi kuuluvad laengud üksikult. 2. suurust, mis on võrdne positiivse ühiklaengu ümberpaigutamiseks tuleva kõrvaljõudude tööga nimetatatkse emj. E=A/q (V) 3. Pooljuhtventiiliks on pooljuhtkristall, kus on loodud auk-ja elektronjuhtivusega piirkonnad ning nende puutepinnal asuv tõkkekiht ehk siire. n-pooljuhid(elektronjuhtivus) p- pooljuhid(aukjuhtivus) 4. Aineid, milles elektrivool tekitab keemilisi muutusi nimetatakse elektrolüütideks. 1)galvanoplastika 2)galvanosteegia 3)elektrometallurgia 4)elektrolüütiline poleerimine 5) elektrolüütkondekad 6)keemilised vooluallikad*patareid*akumulaatorid*pliiakud, leelisakud*kütuse element 5
tööga nim elektromotoorjõuks E. E=A/q (V)volt. Suurust mis on arvuliselt võrdne elektrostaatiliste ja kõrvaljõudude poolt positivse ühiklaengu ümberpaigutamisel tehtud tööga, nim pingelaenguks ehk lihtsalt pingeks U antud ahela osal. U12=1-2+E12. Kõrvaljõudude puudumisel pinge U langeb kokku potensiaalide vahega U12=1-2 3. Pooljuht dioodid. - Pooljuht dioodid e. pooljuhtventiiliks on pooljuhtkristall, kus on loodud auk-ja elektronjuhtivusega piirkonnad ning nende puutepinnal asuv tõkkekiht ehk pn- siire. Pooljuhtventiil on selgelt ühesunalise juhtivusega. 4.Elektrolüüsi kas, tehnikas. 1.Galvanoplastika- metallijäljendi saamine reljeefsest mudelist 2.Galvanosteegia- metallesemete pinna katmine elektrolüütiliselt, mõne teise metallikihiga 3.Elektrometallurgia – teadmised, mis seotud elektrolüüsiga 4.Elektrolüütiline poleerimine- eemaldatakse pinnakonarused 5
kõrvaljõudude tööga nim elektromotoorjõuks E. E=A/q (V)volt. Suurust mis on arvuliselt võrdne elektrostaatiliste ja kõrvaljõudude poolt positivse ühiklaengu ümberpaigutamisel tehtud tööga, nim pingelaenguks ehk lihtsalt pingeks U antud ahela osal. U12=1-2+E12. Kõrvaljõudude puudumisel pinge U langeb kokku potensiaalide vahega U12=1-2 3. Pooljuht dioodid-Pooljuht dioodid e. pooljuhtventiiliks on pooljuhtkristall, kus on loodud auk-ja elektronjuhtivusega piirkonnad ning nende puutepinnal asuv tõkkekiht ehk pn- siire. Pooljuhtventiil on selgelt ühesunalise juhtivusega. 4. Elektrolüüsi kas, tehnikas-1.Galvanoplastika- mingi eseme katmine ainega N: grafiidi pulbriga 2.Galvanosteegia- millegi katmine kihiga, hakkab kattuma 3.Elektrometallurgia 4.Elektrolüütiline poleerimine- eemaldatakse pinnakonarused 5.Elektrolüütkondensaatorid 6.Keemilised vooluallikad -patareid -akumulaatorid pliiakud
Materjalideks on: seleen, germaanium, räni, galliumarseniid...Konstantsel temp on elektron-ouk paaride keskmine arv pooljuhtkristalli ruumala ühikus muutumatu. Pooljuhtide takistuse temperatuurid on negatiivsed ning absoluutväärtuselt 10/20 korda suuremad kui metallidel. Pooljuhte kus on ülekaalus elektronjuhtivus nim n- pooljuhtideks. pooljuhte kus valdavaks on aukjuhtivus nim p- pooljuhtideks. Pooljuht dioodid-Pooljuht dioodid e. pooljuhtventiiliks on pooljuhtkristall, kus on loodud auk-ja elektronjuhtivusega piirkonnad ning nende puutepinnal asuv tõkkekiht ehk pn- siire. Pooljuhtventiil on selgelt ühesunalise juhtivusega. Pooljuhttrioodid e. transistor-Transistor on kahe pn- siirdega kristall. Sõltuvalt juhtivustüübist on kas p-n-p tüüpi või n-p-n tüüpi transistorid. Transistori keskmist osa nim baasiks, äärmisi osasid vastavalt emiteriks ja kollektoniks.
Ribide suur arv võimaldab tõsta nende soojuskiirgavuse intensiivsust ümbritsevasse keskkonda. Kuni 100 W soojusvõimsuse hajutamiseks saavutab radiaator suhteliselt madala temperatuuri (50 ºC või madalam) ning selle mõõtmed võivad olla suhtelisel väikesed, kuna jahutamiseks piisab loomulikust konvektsioonist. Suurematel võimsustel ja ümbritseva keskkonna temperatuuri puhul üle 60 ºC osutub sageli vajalikuks sundjahutus. Paljudel juhtudel paikneb pooljuhtkristall seadise ülaosas ning seetõttu omab soojustakistusi Rth1, Rth2, Rth3, ......, mida läbivad soojusvõimsused P1, P2, P3,..., ning temperatuur etteantud punktis arvutatakse i-elementide summana PRthi. Õhkjahutuse meetodid põhinevad teadaoleval ümbritseva keskkonna temperatuuril. Harilikult sisaldab transistori siirde temperatuuri arvutamisel kasutatav summaarne soojustakistus järgmisi takistusi: jahutusradiaatori ja
annaabi.ee 
