Seda protsessi nim. nim. n-tüüpi pooljuhiks. 2)Aktseptrolisandid elektrolüüsiks. Negatiivsed So4 ioonid liiguvad suurendavad aukude arvu pooljuhtides. Sellist vastupidises suunas. Nii tekib elektrivool pooljuhti nim. p-tüüpi pooljuhiks. elektrolüüdis. See kujutab endast + ja – ioonide 3.p-n siire – p-tüüpi pooljuhtides on laengukandjateks suunatud liikumist. Elektrolüüsil kehtib Faraday augud, n-tüüpi pooljuhil aga elektronid. Kui ühendada elektrolüüsiseadus: katoodil sadestunud aine mass p-tüüpi pooljuht vooluallika +ga ja n-tüüpi pooljuht on võrdeline vuulutugevuse ja ajaga. vooluallika-ga, siis laengukandjad hakkavad liikuma 3.Transistorit saab kasutada elektrisignaali üksteise poole ja läbivad tõkkekihi. Seda nim. võimendamiseks. Parempoolne patarei tekitab + pärisvooluks. Kui aga muuta vooluallikate poolt, siis pinge kollektori ja emitteri vahel
Ta oletas, et sellist tüüpi disain on arvatavasti kaubanduslikult elujõulisem. Shockley töötas pööraselt ka oma peateose kallal, mis kannab pealkirja "Elektronid ja augud pooljuhis". See 558-leheküljeline uurimus avaldati 1950. aastal. Seal on ühtlasi kirjeldatud ka Shockley dioodivõrrandit. Sellest Shockley tööst sai piibel tervele teadlaste põlvkonnale, kes töötasid, et arendada ja täiustada uusi transistoreid ja teisi seadmeid, mis põhineksid pooljuhil. Shockley ei olnud aga rahul seletustega selle kohta, kuidas punktkontakttransistor töötab. See viis Shockley mõttele, millele ta pani hiljem nimeks "võileivatransistor". Mõte viis aga lõpuks ühendustransistorini, mida tutvustati pressikonverentsil 4. juulil 1951. Patendi saavutas Shockley selle leiutise eest 25. septembril 1951. Ühendustransistor jättis varsti varju punktkontakttransistori ja selle järglasest sai mitmeks aastaks võimas valitseja turul.
Omajuhtivus sõltub temperatuurist ja on pooljuht materjalide normaalne töötemperatuur lisandjuhtivusest 1000 korda väiksem. Kõrgendatud temperatuur (avarii olukorras) võivad need 2 juhtivust saada lähedasteks ja seetõttu on pooljuht seadistele lubatud madalad töötemperatuurid Germaanium pooljuhil on Tmax 70 ?C-80?C Räni pooljuhil on Tmax 70?C-105?C Gallium areseniid pooljuhil 250?C Tingituna kaheliigilisest juhtivusest on pooljuhtides kaks liiki laengu kandjaid. Need millised on ülemuses ja millest tuleneb pooljuhi nimetatakse enamus laengukandjateks, teised vähemus laengukandjad. Enamuslaengukandjad on pärit lisandilt. Vähemus laengukandjad omajuhtivuselt. Tulemusena sõltub
Toimub suhteline "aukude" liikumine. Niisugust juhtivust nimetatakse p - juhtivuseks ( positiivne laeng ). · Ge ja Si on neljavalentsed elemendid. Kui neid legeerida kolmevalentsete galliumi või indiumiga, siis üks paariselektroonsetest sidemetest jääb põhiaine ja lisandi aatomite vahel puudulikuks ( temas ei jätku ühte elektroni ) ja tekib "auk". Sellepärast on legeeritud pooljuhil lisandisteuktuurist tingituna "aukude" ülekaal. Seda lisandit, mis tekitab p - juhtivuse, nimetatakse akseptoriks. E = 0,08 eV. · Kui pooljuhti legeerida viievalentse elemendiga ( As, Sb, P ), tekib sidemetes elektronide ülejääk - n - juhtivus. E = 0,05 eV. · Kui moodustada nimetatud juhtivusmaterjalidest kahekihiline kontakt, saadakse tõkkekiht, mida nimetatakse p - n siirdeks. 14 POOLJUHTELEKTROONIKA
siirdel. Voolu edasisele suurendamisele seab piiri pooljuhtstruktuuri ülemäärane soojenemine, mis lõpuks võib viia siirde hävinemiseni (räni puhul 150°...200° juures). Joonis 3.3. Päripingestatud pn-siire [2]. Pikkov lk 25 Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised 7 3.2.3. Vastupingestatud pn-siire Siirdele vastupinge rakendamisel (pluss n-pooljuhil, miinus p-pooljuhil) liitub väline elektriväli siirde enda sisemise väljaga samasuunaliselt. Selle tulemusena muutub potentsiaalibarjäär niivõrd kõrgeks, et enamuslaengukandjate difusioon lakkab. Temperatuuri toimel tekkivad vähemuslaengukandjad läbivad siirde küll takistamatult, kuid neid tekib toatemperatuuril vähe ja vastuvool läbi siirde (lekkevool) jääb väga nõrgaks (räni puhul 10...100 nA suurusjärgus). Pikkov lk 26
annaabi.ee 
