Kui 1982. aastal tulid välja sinised valgusdioodid ning seejärel ka valged valgusdioodid, siis sai võimalikuks valgusdioodide kasutamine ka valgustuses. Praegu on valgusdioodid hakanud reklaamvalgustuses välja tõrjuma kõrgepingelisi huumlahenduslampe, valgusfoorides, autode signaaltuledes ja kandelampides hõõglampe. Fotoelement Fotoelement on pooljuhtseadis, mis muundab valgusenergia elektrienergiaks. Ventiilfotoelementides kasutatakse kõige sagedamini räni. Kui kahe õhukese p- ja n-pooljuhikihi vahel moodustuva p-n-siirdesse satuvad footonid, siis põhjustavad need erimärgiliste laengute eraldumist ja laengukandjate (elektronide ja aukude) liikumist vastaselektroodidele. Selle tulemusel tekib elektromotoorjõud (vooluta olekus ca 0,6 V) ja kui väline vooluahel on suletud, siis elektrivool. Normaaltalitlusel on fotoelemendi pinge ca 0,5 V. Kiirguse soovimatu peegeldumise vältimiseks on fotoelement kaetud peegeldusvastase kihiga. Sobiva voolu saamiseks ühendatakse fotoelemendid
valguskiirguse energiaks. Valgusdiood tarbib tunduvalt vähem energiat kui hõõglambid. Kui esialgu leidsid nad kasutamist indikaatoritena, siis on viimasel ajal suure valgusviljakusega valgusdioodide kasutusevõtmise tulemusel hakanud levima valgusdioodide kasutamine valgustuspaigaldistes. 38) Fotoelemendid - Fotoelement on pooljuhtseadis, mis muundab valgusenergia elektrienergiaks. Ventiilfotoelementides kasutatakse kõige sagedamini räni. Kui kahe õhukese p- ja n-pooljuhikihi vahel moodustuva p-n-siirdesse satuvad footonid, siis põhjustavad need erimärgiliste laengute eraldumist ja laengukandjate (elektronide ja aukude) liikumist vastaselektroodidele. Selle tulemusel tekib elektromotoorjõud (vooluta olekus ca 0,6 V) ja kui väline vooluahel on suletud, siis elektrivool. Normaaltalitlusel on fotoelemendi pinge ca 0,5 V. Kiirguse soovimatu peegeldumise vältimiseks on fotoelement kaetud peegeldusvastase kihiga
tüüritakse sisendpingega. Bipolaartransistor on "kolmekihiline" pooljuhtseadis, mis koosneb kahest järjestikku asetsevast pn-siirdest, koosnedes seega just nagu kahest järjestikusest dioodist, millest üks on päripingestatud ja teine vastupingestatud. Võrdlus kahe järjestikuse dioodiga on siiski üksnes piltlik võrdlus. Kahe pooljuhtdioodi kokkuühendamisel transistori ei teki, sest võimendusomadused annab transistorile äärmisi pooljuhikihte eraldava keskmise pooljuhikihi e. baasi üliväike paksus (< 1 mm). Kuna järjestikku tuleb ühendada erineva juhtivusega pooljuhid, saab valmistada kahte tüüpi bipolaartransistore npn- ja pnp-struktuuriga transistore. Enamasti kasutatakse npn-struktuuriga transistore, kuna neis on laengukandjatena peaosa elektronidel, millede liikuvus on suurem kui aukude liikuvus. See parandab transistori kui võimendus- ja lülituselemendi kiiretoimelisust võrreldes pnp-struktuuri omavate transistoridega. Samas
annaabi.ee 
