Sulgumisaeg toff pikeneb lüheneb pikeneb Sulgumisenergia pulsi kohta Eoff jääb samaks väheneb suureneb Impulssliigvool avanemisel kasvab jääb samaks langeb Impulssliigpinge sulgumisel jääb samaks kasvab langeb MOSFET-ide pingetipu tundlikkus kasvab kasvab langeb IGBT-de pingetipu tundlikkus kasvab langeb kasvab Lühisetaluvus langeb jääb samaks kasvab Päriparameetrid (RDS(on), UCE(th)) langeb jääb samaks jääb samaks Juhtpinged ja paisutakistus võivad mõjutada IGBT-transistori avanemise kõiki etappe ton = td(on) + tr ning sulgumise kõiki etappe toff = td(off) + tf erineval viisil, sõltuvalt tõusu ajast tr ning taastumisajast tf
Kui vaadelda näiteks terasriba, kus on poldiauk läbimõõduga d = b/2 (b terasriba laius), siis 2,16 ; kui d = b/4. siis 2,52 jne. Mida vähem ,,voolujoonelise" kujuga takistus on, seda suurem on kontsentratsioonitegur. Nagu katsed näitavad, ei vähenda pingekontsentratsioon staatilise koormuse puhul märgatavalt ristlõike kandevõimet. Kuna pinge tipp on koondatud väga kitsale alale, siis kõrval paiknev vähemkoormatud materjal ei võimalda pingetipu kohal suuri deformatsioone ja materjal ei saa seetõttu hakata voolama. Väsimustugevusele avaldab pingekontsentratsioon seevastu suurt ebasoodsat mõju ja seetõttu tuleks vahelduvalt koormatud elementide puhul pingekontsentraatoreid vältida. Valts- ja keevisprofiilides esinevad sageli algpinged. Algpinged telivad näiteks keevitamisel ristlõike eri osade erinevast jahtumiskiirusest, valtsprofiilidel tingituna valtsimistehnololoogiast jne
annaabi.ee 
