1. Millised on põhilised armeerimise skeemid, esitage need graafiliselt. A- pidevarmeerimine; B- diskreetne armeerimine; C- dispersioonarmeerimine; D- kihtarmeerimine 2. Kuidas sõltuvad teineteisest KM armeerimise suund ja järgmised omadused: elastsusmoodul, tõmbetugevus, survetugevus, soojuspaisumine? KM kiudude põhilisteks töökarakteristikuteks on nende tugevus, jäikus ja sitkus. 3. Nimetage olulisemad meetodid niitkristallide kasvatamiseks. *Kristallide kasvatamine pindest; *Kiudude kasvatamine elektriväljas; *Aurusadestamine gaasifaasist 4. Kas niitkristalli kasvamisel pindest toimub materjali sadestumine kristalli tipus või kristall kasvab altpoolt? Kasvatamine pindest tähendab materjali sadestumist kristalli tipus 5. Mis on niitkristallide kasvu allikad kristallide kasvamisel pindest? Dislokatsioonide tekkekohad 6. Millised tingimused peavad olema täidetud niitkristallide kasvuks aurusadestamisel gaasifaasist.
Tänu hõõrdejõu vähenemisel eraldub ka soojust lõikamisel vähem ja töödeldav pind on siledam. Praktika on näidanud, et kombineertud pinnete kasutamisel tõuseb treiterade tööiga kuni 5 korda. Samuti võimaldab pinne kasutada suuremaid lõikekiirusi. Siinkohal tuleb ära märkida, et väga raskestes tingimustes treimisel (löökkoormused, katkendlik treimine), kus toimivad väga suured termilised ülekoormused, pinne oodatud effekti ei anna. Joon.19 Treitera kulumine sõltuvalt pindest 41 Titaankarbiid sadestatakse lõiketerade pindadele järgmiselt: TiCl4, H2 ja süsniku o keskkonnas kuumutatakse lõiketeri temperatuurini kuni 1200 C. Suurem temperatuur põhjustab tera kasvu ja koobalti diffusiooni pindesse, mida tuleb vältida. Rekaktsiooni tulemusena sadestub pinnale TiC. TiN pinde saamiseks kuumutatakse kehi N2 ja H2 keskkonnas suhtega 3:1. Protsess
annaabi.ee 
