Elektroonika
Valgustatud diood: 0 a foto E.M.J., 0 b lühisevool.
Tundlikkus: I/: [mA/Lm]; SSi 3, SGe 20
44
Fotomuunduri reziimis rakendatakse fotodioodile vastupinge, mis on
tunduvalt kõrgem, kui foto E.M.J. ja pn-siirde valgustamisel
potentsiaaltõkke kõrgus praktiliselt ei muutu. Selle tagajärjel jää-
vad kõik vabanenud ja pn-siirde välja poolt eraldatud laengud
fotodioodi. Seega fotodioodi selles reziimis pärivool puudub.
Fotodioodi pimekarakteristik ei erine pooljuhtdioodi vastavas pinge-
voolu tunnusjoonest ja läbib koordinaatide alguspunkti. Sel juhul läbib
pn-siiret vool, mis tekib vähemuslaengukandjate liikumisest
välispinge toimel. Valgustustiheduse tugevnemisel vastuvool kasvab,
sest suureneb pooljuhi aatomite ionisatsioonist tekkinud
laengukandjate hulk. Fotodiood töötab selles reziimis nagu
pooljuhtdiood, mille vastuvoolu tüürib valgus.
...................................
Emax: Si 0,5-0,6V; GaAs 0,87V
annaabi.ee 
