Tehnomaterjalide eksami materjal
võreelemendi sõlmpunktides(tippudes).
d)Heksagonaalvõre - Lihtne heksagonaal võre H6; Kompaktne heksagonaal võre H12;
Lihnte heksagonaal võre Tähis H6; koordinatsiooni arv 6; Baas n=2;
Kompaktne heksagonaal võre Tähis H12; Koordinatsiooni arv 12; Baas n=6;
2.Metalliliste faaside kristallvõred
a)Asendustardlahus asendustardlahuse korral asenduvad lahustuva komponendi aatomid
osa lahustajakomponendi aatomeid(joonis 1.33a, lk30). Asendatud võib olla piiraatud arv
aatomeid siis on tegemist piiratud lahustuvusega või mis tahes hulk aatomeid, mistõttu
sellist lahustuvust nim. piiramatuks.
Piiramatu asendtardlahuse tekkimise eeltingimuseks on:
1)Komponentide tüübilt ühesugused kristallvõred.
2)Komponentide ligilähetased aatomi raadiused (aatomi raadiuste erinevus R 15 %).
Kristallvõrede samakujulisust ja aatomi raadiuste ligilähedust nim. isomorfismiks ja seda
tüüpi tardlahused moodustuvad Ag-Au, Ni-Cu, Mo-W, V-Ti jt süsteemide sulameis.