Tegemist on kiire mäluga, mida kasuatakse nt registermälus ja vahemälus. Kiiruselt suudab SRAM funktsioneerida protsessori taktsagedusega, aga sisaldab suhteliselt palju transistore, mis nõuab palju kristallpinda ja seega ei sobi suurte mälumahtude realiseerimiseks. Dünaamiline pooljuht-suvapöördusmälu (DRAM): Tavaliselt on tüüpilise PC arvuti põhimälu realiseeritud DRAM-ina. Seal kulub ühe pesiku valmistamiseks üks transistor, samas kui SRAM-is on vaja neli kuni kuus transistori biti kohta. Info salvestatakse laenguna väljatransistoris. Tänu väiksemale transistoride arvule biti kohta on info tihedus kristalli pinnal oluliselt suurem. Kuivõrd ei ole olemas ideaalset isolaatorit, siis laend teatud aja möödudes kaob ja info hävib. Selle vältimiseks toimub dünaamilises mälus pidev mälu värskendamine, mille käigus kirjutatakse pidevalt infot uuesti üle
o staatiline RAM – info salvestatud pos tagasiside kaudu trigerites. Kiire mälu, mida kasut nt registermälus ja vahemälus. Kiiruselt suudab SRAM funkts CPU taktsagedusega, aga sisaldab suht palju transistore, mis nõuavad palju kristallipinda -> ei sobi suurte mälumahtude reliseerimiseks o dünaamiline RAM – tavaliselt on tüüpilise PC arvuti põhimälu realiseeritud DRAM-ina. Seal kulub ühe pesiku valmistamiseks üks transistor, samas kui SRAM-is on vaja 4-6 transistori biti kohta. Info salvestatakse laenguna väljatransistoris. Tänu väiksemale transistoride arvule biti kohta on info tihedus kristalli pinnal oluliselt suurem. Kuivõrd pole olemas ideaalset isolaatorit, siis laeng teatud aja möödudes kaob ja info hävib
Tegemist on kiire mäluga mida kasutatakse näiteks registermälus ja vahemälus. Kiiruselt suudab SRAM funktsioneerida protsessori taktsagedusega aga sisaldab suhteliselt palju transistore, mis nõuab palju kristallipinda ning ei sobi suurte mälumahtude realiseerimiseks. SRAM juhtimiseks on vajalik aadress, mis määrab maksimaalse mälusõnade hulga. Dünamiiline pooljuhtsuvapöördusmälu (DRAM). Tavaliselt on tüüpilise PC arvuti põhimälu realiseeritud DRAMina. Seal kulub ühe pesiku valmistamiseks 1 transistor, samas kui SRAMis oli vaja 4-6 transistori biti kohta. Info salvestatakse laenguna väljatransistoris. Tänu väiksemaletransistoride arvule bit kohta on info tihedus kristalli pinnal oluliselt suurem. Kuivõrd ei ole olemas ideaalset isolaatorit siis laeng teatud aja möödudes kaobja info hävib. Selle vältimiseks toimub dünaamilises mälus pidevalt mälu värskendamine, mille käigus kirjutatakse infot pidevalt üle
annaabi.ee 
