Elektroonika alused (õpik,konspekt)
kanali takistus väiksem. Selline ehitus sobiv suurevõimsuselistele transistoridele.
ELEKTROONIKAKOMPONENDJD lk.60
JOONIS 7.9.
7.4.2. DMOS transistor.
Nimetatud transistor on oma ehituselt sarnane VMOS transistoriga, kuid tal
puudub koonilise kraatri taoline pais. Samaegselt on ta samuti indutseerkanaliga
transistor. Joonisel 7.10 toodud skemaatilisel ristlõikel on kaks transistori ühendatud
paraleelselt ühise paisuelektroodiga. Selliselt võib neid paraleelselt ühendada ka
rohkem. Läte on kolmest küljest ümbritsetud p-tsooniga ja kui pais on pingestamata, ei
ole voolu tekkimise võimalust. Andes paisule positiivse pinge, nihkuvad elektrivälja
toimel augud paisu alt eemale, sinna tõmmatakse elektrone ja tekibki voolujuhtiv
kanal, mille ristlõige on seda suurem, mida positiivsem on paisupinge. Nagu joonise
põhjal otsustada võib, on DMOS transistori kanal lühike ja suure ristlõikega, mis on