elektrilaenguna. Tavaliselt säilib see laeng lekkevoolu tõttu väga lühikest aega. Seepärast tuleb info säilitamiseks laengut perioodiliselt näiteks iga 2 ms järel uuendada (regenereerida). Dünaamiline muutmälu on staatilise mäluga võrreldes lihtsama ehitusega (ühe biti salvestamiseks läheb vaja umbes kaks korda vähem elemente), suurema toimekiirusega ning tarvitab tööks vähem energiat. Dünaamilise muutmälu elemendi skeem on joonisel. Mäluna toimib transistori VT2 paisuahela mahtuvus C1. Info kirjutatakse mällu ja loetakse sealt siini Y kaudu (signaal D). Enne info lugemist antakse signaal REG, mis avab transistori VT4, ning mahtuvus C2 (siini Y parasiitmahtuvus) laetakse allikast +E. Seejärel antakse siinile X kirjutuse/lugemise sünkrosignaal CWR, mis avab transistori VT3, kuid ei saa avada transistori VT2. Kui mäluelement säilitab olekut 1, siis on mahtuvus C1 laetud ja transistor VT2 on avatud
VT3 C1 VT4 REG D +E Joonis 1.26. Dünaamilise mäluelemendi skeem Mäluna toimib transistori VT2 paisuahela mahtuvus C1. Info kirjutatakse mällu ja loetakse sealt siini Y kaudu (signaal D). Enne info lugemist antakse signaal REG, mis avab transistori VT4, ning mahtuvus C2 (siini Y parasiitmahtuvus) laetakse allikast +E. Seejärel antakse siinile X kirjutuse/lugemise sünkrosignaal CWR, mis avab transistori VT3, kuid ei saa avada transistori VT2. Kui mäluelement säilitab olekut 1, siis on mahtuvus C1 laetud ja transistor VT2 on avatud.
väljundis juhtpingete UGG+ ning UGG- puhvrina tagamaks nende minimaalseid dünaamilisi muutusi. Ainult sellistes tingimustes võib juhtahel vähendada voolude nihkeid tänu pingemuutusele sUCE, mis juhitakse üle paisu-kollektori mahtuvuse (Miller-i mahtuvuse) paisu, põhjustades kommutatsiooni vigu, parasiitvõnkumisi ning lubamatuid liigpingeid. Juhtlülituste väljatöötamisel ja arendamisel on mitmeid tähtsaid aspekte paisupingete generaatori skeemi lahenduse valikul: · paisuahela minimaalsed parasiitinduktiivsused, st lühikesed (lühemad kui 10 cm) ühendusjuhtmed paisu ja juhtlülituse ning emitteri vahel; minimaalne arv seadiseid vastavalt joonisele 3.20, · emitteri parasiitinduktiivsusest tingitud koormusvoolu ja juhtpinge vahelise sidestuse vältimine; juhtmooduli maanduse ühendamine emitteriga, · maaühenduskontuuride vältimine,
annaabi.ee 
