kus n elektronide kontsentratsioon; p aukude kontsentratsioon; n ja p on vastavalt elektronide ja aukude liikuvused; e elektroni laeng -1,6 10-19 C. Omajuhtivusega pooljuhis tekib iga vaba elektroni kohta juhtivustsoonis üks vaba auk valentstsoonis ja ni = pi ning = e ni (n + p) kus i tähistab omapooljuhti (intrinsic). Elektronide kontsentratsioon võrdub nivoode tihedus korrutatud nende nivoode elektronidega täitumise tõenäosus. Omapooljuhis sõltub nivoode elektronidega täitumise tõenäosus eksponentsiaalselt pooljuhi keelutsooni laiusest E ja temperatuurist T, seega avaldub n võrrandiga ni = 2Nc e - E/2kT kus: Nc nivoode tihedus (arv ruumalaühiku kohta) juhtivustsoonis; 2 igal nivool võib olla kaks elektroni (vastupidise spinniga) Doonorlisandiga legeeritud (n-tüüpi) pooljuhis toatemperatuuril n Ndp , kus Nd on doonorite kontsentratsioon, ja = n = e * n *n e *Nd *n
läbipaistvam kui kõrgema tihedusega kristallilisema struktuuriga lineaarahelaga polüetüleen. 69 Kõrgema kristallisuse osaga polümeersed materjalid võivad olla isegi läbipaistmatud sõltuvalt kristallilisuse astmest, lisandite kontsentratsioonist ja täiteaine hulgast. 8.9. Valguse neeldumine pooljuhtides (joon. 8.14, 8.15, 8.16) Pooljuhtides võivad valguse footonid neelduda mitmel viisil: puhtas omapooljuhis Si, Ge, GaAs toimub valguse neeldumine elektroni ergastamisel täidetud valentstsoonist üle keelatud tsooni tühja olekusse juhtivustsoonis (joon. 8.15a) nn. fundamentaalne neeldumine. Ergastamise tulemusena tekib juhtivustsoonis vaba elektron ja valentstsoonis auk. Erinevalt metallidest ei saa ergastamine toimuda igasugustel energia väärtustel. Ergastamine toimub vaid siis, kui footoni energia on suurem kui keelutsooni laius E g . (joon. 8.14) n > E g ehk nc > Eg
annaabi.ee 
