Enn Mellikovi materjalifüüsika ja -keemia konspekt
kõrvalolev aatom võiks difundeeruda. Et temperatuuri tõstmine suurendab nii vakantside
51
kontsentratsiooni kui ka aatomite vibratsioonliikumise energiat, siis on difusioonikiirus väga
temperatuuritundlik.
Vaatleme Cu vakantsdifusiooni vase kristallvõres joon. 4.9. juhul. Kui aatom, mis asub
vakantsi kõrval, omab küllaldast energiat, siis ta võib liikuda vakantskohta ja seega anda
enda osa Cu omadifusiooni. Sellise omadifusiooni aktivisatsioonienergia on summa vakantsi
moodustumise energiast ja energiast, mida nõuab kohavahetus. On üldreegel: mida kõrgem
on materjali sulamistäpp, seda suurem on omadifusiooni aktivisatsioonienergia. Selle
sõltuvuse aluseks on kõrgema sulamistäpiga ainete aatomite vahelise sideme suurem
energia (tugevam side). Et vakantsmehhanismi puhul difundeeruv aatom vahetab oma kohta
vakantsiga siis aatomite difusioon ühes suunas on samane vakantside difusiooniga
vastassuunas