lisandainete viimise teel Aktseptor- vastuvõtja. Aktseptor omastab põhiaine naaberaatomilt elektroni, jättes selle elektronkattesse augu, mis siirdub soojusliikumise toimel valentsitsooni. AKTSEPTORLISANDID (p-pooljuht) · Kasutatakse aktseptoreid (vastuvõtjaid). ·Aktseptor võtab naaberaatomitelt elektroni ja tekitab elektronkattesse nn augu, mis soojusliikumise toimel hakkab liikuma. 17. Pn-siire on monokristalse pooljuhi ala, milles toimub üleminek aukjuhtivuselt (p-juhtivuselt) elektronjuhtivusele (n-juhtivusele). Sulandades ühe plaadikese n- pooljuhist plaadikesegap- pooljuhist, saame kahekihilise pooljuhi. Nende ühinemiskihiks ongi Pn-siire Kogu pooljuhtseade on ühes terviklikus kristallis. Kristallil on erinevate lisanditega ehk erineva juhtivusega piirkonnad, et tekiks erinimeliste laengute vastastikmõju. Kui kogu
Kristalne aine on pooljuht. Temperatuuri või kiirguse mõjul võib elektron lahkuda kohalt, sinna jääb vaba koht ehk nn auk. Auku vaadeldakse positiivse elementaarlaenguna. Vabad elektronid hakkavad liikuma + klemmi suunas. Augud liiguvad vastassuunas. Isepooljuhis on nii elektroni- kui ka aukjuhtivus. n-tüüpi pooljuhis domineerib elektronjuhtivus p-juhte saab kasutada termotakistis, fototakistis. c) Pn-siire on monokristalse pooljuhi ala, milles toimub üleminek aukjuhtivuselt (p- juhtivuselt) elektronjuhtivusele (n-juhtivusele). Pooljuhtseadised (dioodid, transistorid, kiibid) Vastupingestatud pn-siire +N / P- (MIINUSED/PLUSSID) Päripingestatud pn-siire -N/ P+ (MIINUSED PLUSSIDE POOLE/PLUSSID MIINUSTE POOLE) Pingestamata pn-siire N/P (MIINUSED/PLUSSID) 8. Vahelduvvoolu tekitamine. Laengukandjad võnguvad. Voolutugevus muutub perioodiliselt.
C. Valgemalm on kõva ja habras D. Valgemalm sulab kõrgemal temperatuuril kui teras 5. Mis on sisendustüüpi tardlahus? Possible Answers A. Kahe erineva elemedi aatomid moodustavad erinevad kris B. Lahustaja komponent seob lahustatava komponendi aatom C. Asendatakse osa lahustaja komponendi aatomeid lahustuv D. Lahustaja komponendi aatomite vahele (tühimikesse) paig 6. Millised väited on õiged monokristalse struktuuri kohta? Possible Answers A. Puhtad metallid on monokristalsed B. Monokristalsed struktuur saadakse kui luuakse tingimused C. Monokristalne struktuur koosneb monoliitsetest plokkides D. Monokristalses struktuuris on aatomid järjestatud katkema 7. Mida tähendab mõiste polümorfism? Possible Answers A. Metallil puudub kristallile omane korrapärane aatomit B. Sõltuvalt temperatuurist on mõnel metallil erinev kris
pinget ei talu. Väljatransistore võib olla kohati keerulisem tüürida, nende jaoks valmistatakse spetsiaalseid draivereid. Võimsaid ja kõrgepingelisi väljatransistore on väga raske valmistada ja üle 200-voldise pinge puhul neid tänapäeval veel kasutada ei saa. Erinevus Biopolaartransistorit juhitakse vooluga ja väljatransistorit juhitakse pingega. Pn - siire Pn-siire on monokristalse pooljuhi ala, milles toimub üleminek aukjuhtivuselt (p-juhtivuselt) elektronjuhtivusele (n-juhtivusele). Kogu pooljuhtseade on ühes terviklikus kristallis. Kristallil on erinevate lisanditega ehk erineva juhtivusega piirkonnad, et tekiks erinimeliste laengute vastastikmõju. Kui kogu kristall oleks ühe juhtivustüübiga, näiteks elektronjuhtivusega, siis oleks tegemist tavalise elektriahela takistusega.
"auk" nihkub ja võib haarata puuduva elektroni naaberaatomilt. Nii tekivad "triivivad augud", millele siis vastab aukjuhtivusega ehk p-pooljuht. 7. Mis on diood ja millal alandab, millal võimendab voolutugevust ? Diood on elektroonikas kasutatav komponent, mille eesmärk on tagada vaid ühesuunaline elektrilaengute liikumine. Diood, mis on lülitatud vahelduvpingele alandab voolutugevust. 8. Mis on pn-siire? On monokristalse pooljuhi ala, milles toimub üleminek aukjuhtivuselt (p- juhtivuselt) elektronjuhtivusele 9. Mis on transistor? On kolme või enama väljaviiguga pooljuhtseadis, mida kasutatakse elektrisignaalide tekitamiseks, võimendamiseks, muundamiseks ja lülitamiseks. Transistori abil saab ühe elektrisignaali abil juhtida teist elektrisignaali. 10. Mis on kiip? pisike vooluahel, (koosneb põhiliselt pooljuhtseadistest ja ka passiivelementidest)
ja on tekkinud mingis jahtumise vahemikus lahustuvuse muutudes b. mehaaniline segu, mille korral on üheaegselt vedelast faasist eraldunud tardfaasid, muutus L->A+B c. on tardlahus, mille korral ühe komponendi aatomid sisenevad teise komponendi kristallivõresse d. mehaaniline segu, mille korral on üheaegselt tardfaasist eraldunud tardfaasid, muutus a->B+C Question 5 (10 points) Millised väited on õiged monokristalse struktuuri kohta? (õigeid vastuseid võib olla enam kui üks) a. Monokristalses struktuuris on aatomid järjestatud katkematult b. Monokristalne struktuur koosneb monoliitsetest plokkidest c. Puhtad metallid on monokristalsed d. Monokristalsed struktuur saadakse kui luuakse tingimused kristalli kasvuks ühest kristalliseerumiskeskmest (Tuntumad on Bridgmani ja Czochralski meetod) Question 6 (10 points) Kas raual esineb polümorfismi? a
DIOOD, pn -siire: Laengute tõttu tekib p- ja n-kihi vahele potentsiaal, mille suurus sõltub ainest (germaaniumi korral ligikaudu 0,3 volti; räni puhul pisut üle 0,6 voldi). n- ja p-pooljuhte eraldavat pinda läbib vool vaid siis, kui elektriväli suunab nii elektronid kui "augud" eralduspinna poole. Vastassuunalise pinge korral tekib pooljuhtide eralduspinnal vastassuunalise väljaga Ev tõkkekiht. Pn-siire on monokristalse pooljuhi ala, milles toimub üleminek aukjuhtivuselt (p-juhtivuselt) elektronjuhtivusele (n-juhtivusele). (Kogu pooljuhtseade on ühes terviklikus kristallis. Kristallil on erinevate lisanditega ehk erineva juhtivusega piirkonnad, et tekiks erinimeliste laengute vastastikmõju. Kui kogu kristall oleks ühe juhtivustüübiga, näiteks elektronjuhtivusega, siis oleks tegemist tavalise elektriahela takistusega.)
lahustuva komponendi aatomitega B. Lahustaja komponendi aatomite vahele (tühimikesse) 100% paigutuvad lahustuva komponendi aatomid C. Kahe erineva elemedi aatomid moodustavad erinevad 0% kristallivõred, mis asetsevad teineteise suhtes kihtidena väikeste vahede tagant. D. Lahustaja komponent seob lahustatava komponendi 0% aatomid keemilise sidemega ja moodustub erinev kristallivõre Score: 10/10 6. Millised väited on õiged monokristalse struktuuri kohta? (õigeid vastuseid võib olla enam kui üks) Correct Student Response Value Answer A. Monokristalsed struktuur saadakse kui luuakse 50% tingimused kristalli kasvuks ühest kristalliseerumiskeskmest (Tuntumad on Bridgmani ja Czochralski meetod) B
B. Lahustaja komponent seob lahustatava komponendi aatomid 0% keemilise sidemega ja moodustub erinev kristallivõre C. Asendatakse osa lahustaja komponendi aatomeid lahustuva 0% komponendi aatomitega D. Kahe erineva elemedi aatomid moodustavad erinevad 0% kristallivõred, mis asetsevad teineteise suhtes kihtidena väikeste vahede tagant. 6. Millised väited on õiged monokristalse struktuuri kohta? (õigeid vastuseid võib olla enam kui üks) Student Response Value Correct Answer A. Monokristalne struktuur koosneb monoliitsetest plokkidest -10% B. Puhtad metallid on monokristalsed -20% C. Monokristalses struktuuris on aatomid järjestatud katkematult 50% D. Monokristalsed struktuur saadakse kui luuakse tingimused 50%
teineteisest väga kaugel ja neil on väga raske vabu laengukandjaid edasi anda. Gaas hakkab elektrit juhtima ioniseerimisel (aatomitest või molekulidest lüüakse välja elektrone). Pooljuhtide elektrijuhtivus - Juhivad elektrit halvasti, sest nad vajavad eritingimusi, näiteks temperatuuri suurenedes suureneb pooljuhi juhtivus. Pooljuhtides ei ole laengukandjad vabad, kuid neid saab kergesti selleks muuta. 6. Pn-siire - monokristalse pooljuhi alas toimub üleminek aukjuhtivuselt (p- juhtivuselt) elektronjuhtivusele (n-juhtivusele) Elektromagnetlained - vastused: 1. Elektromagnetlaine elektromagnetväli, mis levib lainetena. Koosnevad elektri- ja magnetlainest. Levivad piiramatult, sirgjooneliselt ja valguse kiirusega, koosnevad elektromagnetväljast, ruumis võib neid olla palju. Kasutamine: arstiteadus, raadioside, televisioon, radarid, telefoniside, internet jpm. 2. Lainepikkus - kahe punkti vaheline kaugus
Kolonni monokliinsete kristallidena või tumeda, amorfse massina kolmanda katalüsaatori kihi järel ning suunatakse nn alumises osas on soojusvaheti. Gaasi liikumine kolonnis on (nn plastiline väävel). Üleminek rombilise ja vahepealsesse absorberisse, sealt aga läbi organiseeritud selliselt, et kindlustada optimaalne monokristalse vormi vahel toimub 95,5 °C juures, soojusvaheti neljandasse katalüsaatori kihti tagasi. temperatuur (~ 500°C) katalüsaatori kihis. See sellest kõrgemal temperatuuril, 114,6 °C juures väävel Neljandast (viimasest) kihist väljunud SO 3 suunatakse saavutatakse soojusvahetuse abil värske ja reageerinud sulab, muutudes kahvatukollaseks liikuvaks vedelikuks. lõplikuks absorptsiooniks samasugusesse kolonni
annaabi.ee 
