Elektroonika alused (õpik,konspekt)
paiknevatest laengutest ja b) difusioonimahtuvusest, mis tekib töö käigus
difundeeruvate laengukandjate vahel. Lihtsustatult võime neid vaadelda ühise
mahtuvusena. Kuna sõltuvalt rakendatud pingest muutub tõkkekihi paksus, siis muutub
koos sellega ka dioodi mahtuvus. Rakendatava pinge sageduse suurenemisel hakkab
avalduma mahtuvuse shunteeriv mõju, mis avaldub vastusuuna reziimis, kus siirde
takistus väheneb mahtuvusjuhtivuse suurenemise tõttu.
ELEKTROONIKAKOMPONENDID lk. 25
JOONIS 4.11. JOONIS 4.12.
Teiseks sagedust piiravaks teguriks on p-n-siirde inerts. Kui siirdele mõjub
päripinge, siis tõkkekiht puudub. Kui aga rakenduv pinge muudab polaarsust, siis tekib
tõkkekiht. Tõkkekihi tekkimine ei toimu aga momentaalselt, vaid alles mõne hetke
möödumisel
annaabi.ee 
