laetud, siis selline üleminek põhjustab faaside laadumise. Oletame, et Cu2+ ioonid liikusid lahusest vase pinnale. Metalne vaskelektrood omandab sellisel juhul positiivse laengu. Saanud positiivse laengu, tõmbab vaskelektrood lahusest faaside eralduspinnale anioone, millised püüavad neutraliseerida vaskelektroodi positiivset laengut. Elektrostaatilise külgetõmbe tõttu koguneb ka metalli positiivne laeng metalli pinnale ja seetõttu moodustubki faaside piirpinnal kaks laengukihti, nii nagu see toimub näiteks kondensaatoril. Elektriline kaksikkiht polariseeritaval elektroodil. Polariseeritaval elektroodil toimub laetud osakeste adsorptsioon tahke faasi pinnale. AgNO3 + KI AgI + KNO3 AgNO3 liia korral tekib [nAgI mAg+ (m-x)NO3-]x+ xNO3- tuum adsorbne kiht difuusne kiht graanul (+) KI liia korral tekib [nAgI mI`- (m-x)K+]x- xK+ graanul (-). 21. Elektrokineetilised nähtused
selline üleminek põhjustab faaside laadumise. Oletame, et Cu2+ ioonid liikusid lahusest vase pinnale. Metalne vaskelektrood omandab sellisel juhul positiivse laengu. Saanud positiivse laengu, tõmbab vaskelektrood lahusest faaside eralduspinnale anioone, millised püüavad neutraliseerida vaskelektroodi positiivset laengut. Elektrostaatilise külgetõmbe tõttu koguneb ka metalli positiivne laeng metalli pinnale ja seetõttu moodustubki faaside piirpinnal kaks laengukihti, nii nagu see toimub näiteks kondensaatoril. Elektriline kaksikkiht polariseeritaval elektroodil. Polariseeritaval elektroodil toimub laetud osakeste adsorptsioon tahke faasi pinnale. Polariseeritav, sest laengud jäävad pidama. Lisame tilkhaaval KI lahust AgNO3 lahusele: toimub vahetusreaktsioon. Vaatleme, kuidas toimub laengu tekkimine ioonse AgI kristalli pinnal. Kristalli pinnale toimuvat adsorptsiooni võib vaadelda kui kristalliseerumise jätku
annaabi.ee 
