Enn Mellikovi materjalifüüsika ja -keemia konspekt
10 -9 m
V = a = 0,361
3
= 4,70 10 - 28 m 3
nm
Cu tihedus
m 4,22 10 -29 Mg
Cu = = = 8,98Mg / m 3 = 8,989 g / cm 3
v 4,70 10 - 29 m 3
Eksperimentaalselt leitud tihedus vasele Cu = 8,969/cm3. Teoreetilisest natuke väiksem
eksperimentaalne väärtus on tingitud kristalldefektidest materjalis (vakantsid,
dislokatsioonid, kristallide vahelised piirpinnad). Kristalldefekte vaatleme lähemalt järgmises
peatükis.
4.8.2. Planaarne aatomehitus (joonis 3.33).
Sageli on vajalik määrata aatomtihedused erinevatel kristalli tahkudel. Seda nn. planaarset
aatomitihedust on võimalik arvutada
aatomite arv mille tsentrid paiknevad antud pindalas
pl =
vaadeldava pindala suurus
Joonisel 4.26 on esitatud (110) tasapind RTK kristallsüsteemis ja vastavad aatomite poolt
annaabi.ee 
