23 Protsessid pooljuhtdioodis, kui välispinge puudub: PP>>nn l0 siirde laius nnPn = Ppnp = Pini [cm-3] Pini omakontsentratsioonid puhtpooljuhis 0 - potentsiaaltõkke kõrgus (kontaktpotentsiaal) Pp nn 0 = t ln = t ln Pn np t - temperatuuripotentsiaal t 25mV k 1,38·10-23 Boltzmanni [J/K] - konstant q laengukandja laeng Jdif - diff. voolu tihedus
Räni (Si) on sama rühma element, hallikas, kus 1 on eritakistus temperatuuril t1, 2 eritakistus kõva, habras ja metalse läikega, sulamistem- temperatuuril t2, TK takistuse temperatuuritegur peratuur 1415 °C. Kasutatakse mitmesuguste pool- temperatuuril t1. juhtseadiste (dioodid, transistorid, türistorid, stabi- Kahe erineva metalli kokkupuutel tekib lisaatorid jne.) valmistamisel. kontaktpotentsiaal, mis kõigub mõnest kümnen- Seleen (Se) on VI rühma element, hall kris- dikust voldist kuni mõne voldini. Kui kahe juhtme talne aine sulamistemperatuuriga 221 °C. Kasuta- kokkuühendamisel mõlemate kontaktide tempe- takse peamiselt valgustundlike pooljuhtseadiste ratuurid on võrdsed, siis potentsiaalide vahe kinni- (fotoelemendid, fototakistid jne.), varemalt ka alal- ses ahelas on null. Kui aga temperatuurid on
annaabi.ee 
