Milline vool läbib Zener dioodi, kui koormustakisti väärtus on 5 k? (IZmax =6,67 mA; R = 1,35 kR mA; IZ = 3,67 mA Transistorid 7. Bipolaarse npn või pnp transistori ehitus ja tööpõhimõte (s.t. joonistage emitter, baas ja kollektor, siirded nende vahel, voolud emitterisse, baasi ja kollektorisse). Pingestamine ja voolud ühise emitteriga lülituse korral koos sisend, ülekande ja väljundkarakteristikutega (piisab kõige lihtsamast kollektortakistiga ja baasitakistiga lülitusest). 8. Formeeritud kanaliga n-tüüpi MOSFET transistori ehitus ja tööpõhimõte (s.t. joonistage läte, neel, kanal, paisuoksiid ja pais, siirded nende vahel lätte ja neelu vool ning pinged lätte ja neelu vahel ning paisule rakendatud pinge). Pingestamine ja voolud ühise lättega lülituse korral koos sisend ja väljundkarakteristikutega. Operatsioonivõimendid.
C k C m C km R2 R2 * A lg s k e e m * K S -k o rre k ts io o n ig a Impulssvõimendite LLR laiendamiseks ilma võimenduseta kasutatakse spets korrektsioonlülitusi sageduskarakteristiku laiendamiseks. Kõrgete sageduste suunas kasutatakse KSK-d (ehk rööpkorrektsiooni) ja neg. TS-i. Lihtsa KSK puhul lülitatakse kollektortakistiga Rk järjestikku väikese induktiivsusega korrektsiooni- induktiivsus L. Madalatel ja keskmistel sagedustel on šuntiva parasiit- ja kollektortakistuse mahtuvustakistus Ckm suur ja korrektsioonpooli induktiivtakistus XL väike ning nende toimet pole vaja arvestada. Kõrgetel sagedustel hakkab XCkm vähenema ja L piirudmisel hakkab sageduskarakteristik langema. L-i sisseviimisel skeemi ja selle õige valikuga neil
annaabi.ee 
