laengud kompenseeritakse aukude poolt. Difusiooni käigus osa elektrone rekombineerub aukudega, osa hajub kristallvõres, ülejäänud aga kanduvad kollektorsiirde välja mõjul kollektorile. Kollektorivool moodustub kahest komponendist - emitterist injekteeruvatest laengukandjatest ja kollektori vastupingest. Kollektor-baasi vastuvool IKB0 ei ole muudetav ning sõltub ainult temperatuurist. Suurtes piirides on aga muudetav kollektorivoolu esimene komponent ning selle tüürimiseks kasutatakse välist vooluallikat. Joonis 3.20 Transistori ÜE-ühendus ÜE - lülitust kasutatakse kõige enam kuna sel juhul tüüritakse väljundvoolu baasivoolu muutmise teel. Ühisemitter lülituse korral võib kollektorivoolu muudu avaldada järgmiselt: ÜE - lülituse korral võib staatiline vooluvõimendustegur ulatuda kümnetesse tuhandetesse.
võib nende olekut vahetada. Selliste lülitustega modelleeritakse binaarkood (0 ja 1). Dioodide ja transistorite sagedamini kasutatav materjal oli varem germaanium, kaasajal räni. Viimasel ajal leiab enam kasutamist ka galliumarseniid. 12. Bipolaarse transi ehitus ja tööpõhimõte. pnp- või npn-transi ehitus, vooluallikate ühendamine ja polaarsused, transi sisend- ja väljundvool ühise emitteriga lülituses. Seos emitteri-, baasi- ja kollektorivoolu vahel. Volude suunad ja laengute liikumine transis. Kollektorivoolu tüürimine baasivooluga, emitterivoolu ülekandetegur ja baasivoolu võimendustegur. Bipolaarse transi sisend- ja väljundtunnusjooned. Bipolaarne transistor tähendab seda, et temas on kasutusel kaht liiki laengukandjad (elektronid ja augud). Transistori ehitus: Bipolaarsete transistoride võimendus tuleneb siirete omavahelisest mõjust, mis ilmneb põhiliselt kuna baas on väga kitsas.
Joonisel 6.1 on näitena toodud ühise emitteriga (ÜE-) lülituses transistor kujutatuna neliklemmina. Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised 4 Joonis 6.1. ÜE- lülituses transistor kui neliklemm [2]. Bipolaartransistoril on kolm võimalikku tööreziimi: sulgereziim, aktiiv- e. lineaar- e. võimendusreziim ja küllastusreziim. Joonis 6.2. Transistori kolm reziimi ja kollektorivoolu sõltuvus baasivoolust [4]. Kui sisendvool e. baasivool IB on võrdne nulliga, on transistor praktiliselt suletud, sest teda läbib ainult väga väike kollektorsiirde algvool IC0 (eestikeelse tähistusega: IK0) ning kollektori ja emitteri vaheline pinge UCE (UKE) võrdub seetõttu praktiliselt toiteallika pingega. Selline reziim (sulgereziim) on joonisel 6.2 kujutatud sisendvoolu-väljundvoolu tunnusjoone vasakpoolseimas osas kuni punktini A. Sulgereziimis on transistori olek
Bipolaartransistor pingestatakse normaalses tööreziimis nii, et emittersiire on päripingestatud (pärivoolustatud) ja kollektorsiire vastupingestatud. Baas on kujundatud võimalikult õhukesena. Kuna baas on väga õhuke (paksus < 1 mm), siis valdav enamik (>95%) päripingestatud emittersiirde kaudu sinna jõudnud elektrone (enamuslaengukandjaid) satuvab vastupingestatud kollektorsiirde elektrivälja mõjualasse, mis suunab elektronid kollektorisse, tekitades kollektorivoolu. Ainult väike osa elektrone rekombineerub baasis aukudega (vähemuslaengukandjatega), mis moodustavad osa baasivoolust (teise osa baasivoolust moodustavad emittersiirde kaudu emitterisse kulgevad augud). Emitterivool kui tervik jaguneb seega baasivooluks ja kollektorivooluks. Baasivool on kollektorivoolust tunduvalt väiksem (suurusjärgus 1...5%). IE = IK + IB ; IB « I K ; IE IK IK = A · IE
fotodioodist, millelt saadakse väljundsignaal [vaata | 12. Bipolaarse transi ehitus ja tööpõhimõte. muuda] pnp- või npn-transi ehitus, vooluallikate ühendamine ja polaarsused, transi sisend- ja väljundvool ühise emitteriga lülituses. Seos emitteri-, baasi- ja kollektorivoolu vahel. Volude suunad ja laengute liikumine transis. Kollektorivoolu tüürimine baasivooluga, emitterivoolu ülekandetegur ja baasivoolu võimendustegur. Bipolaarse transi sisend- ja väljundtunnusjooned. Bipolaarne transistor tähendab seda, et temas on kasutusel kaht liiki laengukandjad (elektronid ja augud). Transistori ehitus: Bipolaarsete transistoride võimendus tuleneb siirete omavahelisest mõjust, mis ilmneb põhiliselt kuna baas on väga kitsas.
1) regeneratiivdetektor Kasutatakse otseVV-s või SHDVV-s. OtseVV-tes võib kasutada regeneratiiv-detektorit. Sisendvõnkeringidega on iduktiivselt sidestatus TS- pool L2. Selle kaudu toimib pos. TS, mis kompenseerib võnkeringis L1L2 tekkivaid kadusid. C2 abil reguleeritakse vajalik TS suurus. Detektordioodina toimib transistori baasi ja emitteri vaheline juhtivus ja detekteeritud baasivool tüürib ühtlasi transistori kollektorivoolu. Sellise detektoriga VV-l on hea tundlikkus ja rahuldav selektiivsus, kuid võimendusreziim on ebastabiilne. On ka oht üleminekuks genereerimisreziimi. Sel juhul -9 V detektor põhjustab C2 R4 raadiohäireid, kui generaatori C6
a. b. Joonis 2.4 Kollektor-emitteri nimipinge UR ja selle maksimaalväärtus UR max ning maksimaalne hajuvõimsus PF kajastuvad samuti tehniliste andmete lehel. Maksimaalne (UF max) ja minimaalne (UF min) küllastuspinge iseloomustavad IGBT-transistori juhtivuskadusid. Juhtimispinge UG läviväärtus näitab pinget, mis tekitab kollektorivoolu. IGBT-transistorid ühendatakse rööpselt samuti nagu MOSFET-transistorid. Järelvõngete vältimiseks varustatakse paisuahelad takistitega. Ülekuumenemise vältimiseks peab voolude ebaühtlus olema väiksem kui 10...15% kollektorivoolust. Rööpühenduses IGBT-transistori pingete ebaühtluse vähendamiseks kasutatakse mitmeid meetodeid. Kuna pingete ebaühtlus tuleneb peamiselt seadise parameetrite hajumisest ja
annaabi.ee 
