VASK (Сu) Vask mängib tähtsat rolli heemi sünteesiprotsessides ja vastavalt siis ka hemoglobiini sünteesis. Seetõttu on tema puudus, nagu ka raua puudus, aneemia üheks tekkepõhjuseks. Vask kuulub tsütokroomi oksidaasi struktuuri – mitokondrite hingamisahela terminaalne ferment – ning sellest johtuvalt on ta hädavajalik rakkudes toimivate energia generatsiooni protsessides. Vasel on väga tähtis ülesanne organismi oksüdantses kaitseahelas, kuna koos tsingiga kuulub ta antioksüdantse fermendi superoksiidi dismutaas ja vereplasmas leiduva antioksüdantse valgu Tseruloplasmiin (Cer) koostisesse ning mis on ka vase edasi kandjaks organismis. Vasel on põletikuvastased ja antiseptilised omadused. Ta reguleerib serotoniini, türosiini, melaniini ja katekolamiini ainevahetust. Vask tõstab insuliini aktiivsust ja soodustab süsivesikute täielikumat utiliseerimisprotsessi.
Reeglina paigaldatakse rööpühenduses MOSFET-transistorid ühisele jahutusradiaatorile minimaalsete vahedega. Et vältida järelvõnkeid sulgumisel, varustatakse transistoride paisuahelad täiendavate takistitega (joonis 2.4, b), mille suuruseks on mõnikümmend oomi. Ülekuumenemise vältimiseks lühise toimel kasutatakse MOSFET-transistoridel sageli täiendavat väljundit, mida tuntakse vooluandurina. Tänu vooluanduri signaalile on kaitseahelas tagasisidestatud kontuur, mis kiirendab selle talitlust ja suurendab selektiivsust. Tõhusaks lahenduseks on täielikult kaitstud MOSFET-transistoridel põhinevad jõulülitid, mis võimaldavad kõrgeid töötemperatuure ja suuri voolusid ning lülituvad välja anormaalsete talitluste puhul. Märkimisväärset tähtsust omavad IGBT-transistorid, mis ilmusid turule alates aastast 1998. Viimase kümne aasta jooksul on võimsate muundurite väljatöötamisel olnud domineerivaks GBT-tehnoloogia
annaabi.ee 
